一种IC载板涨铜柱工艺制造技术

本发明专利技术提出一种IC载板涨铜柱工艺，包括：PTH，在基板上进行PTH，上一层铜，形成PTH层；第一次压膜、曝光、显影，将需要镀铜的线路和pad露出来；镀铜，在露出来的PTH层上再镀上一层铜，形成镀铜层；一次电金，在镀铜层上镀一层金，形成第一电金层；第二次压膜、曝光、显影，将pad部分露出；二次电金，在露出的pad上进行第二次电金，形成第二电金层；去膜；闪蚀。通过该IC载板涨铜柱工艺，在无光刻机和光刻胶、不应用溅射工艺的情况下，通过两次电金的方式在pad上做满足MLO涨电金铜柱的需求的电金铜柱，通过该工艺形成的产品良率能够达到46％左右。通过该工艺形成的产品良率能够达到46％左右。通过该工艺形成的产品良率能够达到46％左右。

【技术实现步骤摘要】
一种IC载板涨铜柱工艺


[0001]本专利技术涉及载板生产加工领域，具体涉及一种IC载板涨铜柱工艺。

技术介绍

[0002]在载板上涨铜柱是为了和探针进行接触，目前载板上进行涨铜柱一般是通过溅射、光刻等方式实现的，这些方式都是需要依赖于溅射工艺、光刻机、光刻胶等，会受到溅射工艺、光刻机、光刻胶的限制。且现在光刻机、光刻胶基本都是进口的，需要受到国外的限制，产品良率也只有10％
‑
20％良率，生产良率低，产品品质、材料和设备无法保障，无法进行载板的批量化生产。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种IC载板涨铜柱工艺，解决上述问题中的一个或者多个。
[0004]本专利技术提供一种IC载板涨铜柱工艺，包括如下步骤：S1、PTH，在基板上进行PTH，上一层铜，形成PTH层，为后期的镀铜层做导电层；S2、第一次压膜、曝光、显影，将PTH层上需要镀铜的部分露出来，需要镀铜的部分包括需要镀铜的线路和pad；S3、镀铜，在露出来的PTH层上再镀上一层铜，形成镀铜层；S4、一次电金，在镀铜层上镀一层金，形成第一电金层；S5、第二次压膜、曝光、显影，将pad部分露出；S6、二次电金，在露出的pad上进行第二次电金，形成第二电金层；S7、去膜；S8、闪蚀。
[0005]在一些实施方式中，所述PTH层的厚度为1
‑
3μm。
[0006]在一些实施方式中，所述镀铜层的厚度为18
‑
22μm。
[0007]在一些实施方式中，所述第一电金层的厚度小于0.1μm。
[0008]在一些实施方式中，所述第二电金层的厚度小于3μm。
[0009]在一些实施方式中，S2和S5执行前还包括前处理的步骤，所述前处理包括去油、除污以及增加表面粗糙度的处理。
[0010]在一些实施方式中，S2中压膜形成第一干膜层，S5中压膜形成第二干膜层，所述第一干膜层和所述第二干膜层的厚度均为23
‑
27μm。
[0011]在一些实施方式中，所述第一干膜层和所述第二干膜层的厚度均为25μm。
[0012]在一些实施方式中，所述S1
‑
S8的一个执行周期小于24小时，S4和S6中的化金温度为48℃
‑
52℃，S2和S5中显影的温度为28℃
‑
32℃。
[0013]在一些实施方式中，所述去膜指将所述第一干膜层和所述第二干膜层去除；
所述闪蚀指的是将第一干膜层下的PTH层通过闪蚀的方法去掉。
[0014]有益效果：通过本专利技术中叙述的IC载板涨铜柱工艺，在无光刻机和光刻胶、不应用溅射工艺的情况下，通过两次电金的方式在pad上做满足MLO涨电金铜柱的需求的电金铜柱；两次电金操作中一次电金的操作能够有效的照顾焊接用pad，避免焊接用pad上二次电金时金太厚造成的焊接时容易脱落的现象；且通过本专利技术中叙述的IC载板涨铜柱工艺将产品良率提升至46％左右。
附图说明
[0015]为了更清晰地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术的一些实施方式中形成PTH层时的结构示意图；图2为本专利技术的一些实施方式中第一次压膜后的结构示意图；图3为本专利技术的一些实施方式中第一次曝光、显影后的结构示意图；图4为本专利技术的一些实施方式中镀铜处理后的结构示意图；图5为本专利技术的一些实施方式中一次电金后的结构示意图；图6为本专利技术的一些实施方式中第二次压膜后的结构示意图；图7为本专利技术的一些实施方式中第二次曝光、显影后的结构示意图；图8为本专利技术的一些实施方式中二次电金后的结构示意图；图9为本专利技术的一些实施方式中去膜后的结构示意图；图10为本专利技术的一些实施方式中闪蚀后的成品结构示意图。
具体实施方式
[0017]下面将通过具体实施方式对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0018]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0019]结合图1至图10所示的内容，本实施例中提供一种IC载板涨铜柱工艺，包括如下步骤：S1、PTH，在基板1上进行PTH，在基板1的正反两面分别上一层铜，形成如图1所示的PTH层2，其中PTH层2的厚度为1
‑
3μm；S2、第一次压膜（形成如图2所示的第一干膜层3）、曝光、显影，将PTH层2上需要镀铜的部分露出来，形成如图3所示的结构，需要镀铜的部分包括需要镀铜的线路和pad；S3、镀铜，在露出来的PTH层2上再镀上一层铜，形成镀铜层4，形成的具体结构如图4所示，其中镀铜层4的厚度为18
‑
22μm；S4、一次电金，在镀铜层4上镀一层金，形成第一电金层5，形成的具体结构如图5所
示，其中第一电金层5的厚度小于0.1μm；S5、第二次压膜（形成如图6所示的第二干膜层6）、曝光、显影，将pad部分露出，形成如图7所示的结构；S6、二次电金，在露出的pad上进行第二次电金，形成第二电金层7，形成的具体结构如图8所示，其中第二电金层7的厚度小于3μm；S7、去膜，将第一干膜层3和第二干膜层6去除，形成如图9所示的结构，其中第一干膜层3和第二干膜层6的去除可以直接采用现有技术实现，因此在此不做赘述；S8、闪蚀，将第一干膜层3下的PTH层通过闪蚀的方法去掉，形成如图10所示的结构，其中使用的闪蚀的方法为现有技术因此在此不做赘述。
[0020]S2和S5执行前还包括前处理的步骤，前处理包括去油、除污以及增加表面粗糙度的处理，此处理过程可以直接采用现有技术实现的，因此前处理的过程不做具体叙述。
[0021]S2和S5中叙述的压膜、曝光、显影均可以直接采用现有技术和现有软件实现，因此在此不做赘述。上述的第一干膜层3和所述第二干膜层6的厚度均为23
‑
27μm，比如将第一干膜层3和第二干膜层6的厚度均为25μm，在S2和S5执行的过程中将第一干膜层3和第二干膜层6的解析度做到8μm，此时用3m胶拉不脱落。
[0022]S1
‑
S8的一个执行周期小于24小时，S4和S6中的化金温度为48℃
‑
52℃，S2和S5中显影的温度为28℃
‑
32℃。
[0023]采用上述的一种IC载板涨铜柱工艺进行IC载板的生产加工，某一班次生产加工获取的成品的相关数据如下表1所示。
[0024]表1上面所述的实施例仅仅是本专利技术的优选实施方式进行描述，并非对本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IC载板涨铜柱工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、PTH，在基板（1）上进行PTH，上一层铜，形成PTH层（2）；S2、第一次压膜、曝光、显影，将PTH层（2）上需要镀铜的部分露出来，需要镀铜的部分包括需要镀铜的线路和pad；S3、镀铜，在露出来的PTH层（2）上再镀上一层铜，形成镀铜层（4）；S4、一次电金，在镀铜层（4）上镀一层金，形成第一电金层（5）；S5、第二次压膜、曝光、显影，将pad部分露出；S6、二次电金，在露出的pad上进行第二次电金，形成第二电金层（7）；S7、去膜；S8、闪蚀。2.根据权利要求1所述的一种IC载板涨铜柱工艺，其中，所述PTH层（2）的厚度为1
‑
3μm。3.根据权利要求1所述的一种IC载板涨铜柱工艺，其中，所述镀铜层（4）的厚度为18
‑
22μm。4.根据权利要求1所述的一种IC载板涨铜柱工艺，其中，所述第一电金层（5）的厚度小于0.1μm。5.根据权利要求1所述的一种IC载板涨铜柱工艺，其中，所述第二电金层（7）的厚度小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛国伟，徐琛，
申请(专利权)人：圆周率半导体南通有限公司，
类型：发明
国别省市：