一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺制造技术

本发明专利技术提供了可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，涉及电子封装领域，在转接板本体上设置中部盲孔及侧部盲孔，各盲孔内填充导电材料，在转接板本体的上表面设置有第一介电层，蚀刻第一介电层，并在各盲孔的周围形成第一介电支撑；在第一介电支撑的间隙内设置第一导电层，并在中部盲孔处形成中部焊盘；在第一介电层和第一导电层的上方设置有第二介电层，蚀刻第二介电层形成第二介电支撑和第三介电支撑，第二介电支撑覆盖于中部焊盘；在第二介电支撑和/或第三介电支撑的间隙内设置第二导电层；在第二介电层和第二导电层上方设置有第三介电层，对第三介电层进行蚀刻，使得第二导电层裸露，在第二导电层裸露处设置第三导电层形成侧部焊盘。层形成侧部焊盘。层形成侧部焊盘。

【技术实现步骤摘要】
一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺


[0001]本专利技术涉及电子封装领域，特别涉及一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺。

技术介绍

[0002]随着对高性能计算(HPC)需求的不断增长，异构集成已经成为了一个重要的性能实现方式。根据芯片的不同需要，互连通道的大小也要随着变化，因此为了解决不同大小的凸块放置空间需求，配适不同互连凸块的使用，本申请提出了一种凹槽式转接板的制备工艺，可以方便快速的制备转接板，保证不同大小互连凸块的空间需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，其目的是为了提供一种可以方便快速制备转接板的工艺，保证不同大小互连凸块的空间需求。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术的实施例提供了一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，包括：
[0005]S1.在转接板本体的上表面开设有盲孔，所述盲孔包括多个位于转接板本体中央的中部盲孔及多个位于中部盲孔周围的侧部盲孔，
[0006]S2.在各盲孔内填充导电材料至与转接板本体的上表面齐平；
[0007]S3.在转接板本体的上表面设置有第一介电层，蚀刻第一介电层，并在各盲孔的周围形成第一介电支撑；
[0008]S4.在第一介电支撑的间隙内设置第一导电层，第一导电层与第一介电支撑齐平，第一导电层在中部盲孔处形成中部焊盘；
[0009]S5.在第一介电层和第一导电层的上方设置有第二介电层，并对第二介电层进行蚀刻形成第二介电支撑和第三介电支撑，所述第二介电支撑覆盖于中部焊盘，第三介电支撑与侧部盲孔周围的第一介电支撑共线；
[0010]S6.在第二介电支撑和/或第三介电支撑的间隙内设置第二导电层，第二导电层与第二介电支撑齐平；
[0011]S7.在第二介电层和第二导电层上方设置有第三介电层，对第三介电层进行蚀刻，使得侧部盲孔上方的第二导电层裸露，在第二导电层裸露处设置第三导电层形成侧部焊盘；
[0012]S8.清除第三介电层和第二介电层位于中部焊盘上方的部分，并在清除的位置粘合有临时载板；
[0013]S9.翻转转接板本体，并对转接板本体的下表面进行研磨直至导电材料裸露，重复步骤S3
‑
S7后，将临时载板拆除。
[0014]优选地，在步骤S3、S5、和S7中，进行蚀刻前在相应的第一介电层、第二介电层和第三介电层上涂覆有光刻胶层，在蚀刻结束后，清除光刻胶层。
[0015]优选地，所述第一介电层、第二介电层和第三介电层为通过PECVD形成二氧化硅层。
[0016]优选地，所述第一介电层、第二介电层和第三介电层为旋涂的树脂层。
[0017]优选地，所述第一导电层和第二导电层采用化学沉积或电镀的方式形成。
[0018]优选地，在步骤S1中，中部盲孔的直径大于侧部盲孔的直径。
[0019]本专利技术的上述方案有如下的有益效果：
[0020]在本申请中，通过对第一介电层、第二介电层进行不同蚀刻，形成用于容纳凸块的空间，解决了凸块互连的空间需求，具有操作简便、成品效率高的优势。
[0021]本专利技术的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0022]图1是凹槽式转接板的使用示意图；
[0023]图2是本专利技术完成步骤S7后的示意图；
[0024]图3是本专利技术的示意图。
[0025]【附图标记说明】
[0026]A
‑
转接板、B
‑
凸块；
[0027]1‑
转接板本体、2
‑
导电材料、3
‑
第一介电层、4
‑
第一导电层、5
‑
第二介电层、6
‑
第二导电层；
具体实施方式
[0028]为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0029]如图1所示的凹槽式转接板A，芯片一和芯片二通过大型的凸块B和小型的凸块B与凹槽式转接板A进行电性连接，凹槽式转接板A的另一侧面通过其他的大型的凸块B和小型的凸块B与PCB进行电性连接。
[0030]如图2
‑
3所示，本专利技术的实施例提供了一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，包括如下步骤：
[0031]步骤一：在转接板本体1的上表面中部及两侧开设有若干垂直上表面的盲孔，并对盲孔进行填充导电材料2至与上表面齐平。在本步骤中，盲孔包括中部盲孔及设置在中部盲孔周围的侧部盲孔，中部盲孔直径大于侧部盲孔的直径，其目的在于各个盲孔内填充有导电材料2后，转接板本体1中部所承载的电量大于两侧承载的电量。
[0032]转接板本体1采用硅或者有机物制成，导电材料2选择铜、金、镍等。当对各个盲孔进行填充时，采用电镀或化学沉积的方式。
[0033]步骤二：在转接板本体1的上方设置第一介电层3，第一介电层3覆盖于转接板本体1及多个盲孔的上方，第一介电层3可以通过PECVD形成二氧化硅层，或旋涂以一层树脂层。
[0034]进一步的，在第一介电层3上涂覆有第一光刻胶层。
[0035]步骤三：在第一光刻胶层及第一介电层3的上方形成第一图案，并对第一光刻胶层和第一介电层3进行蚀刻使得第一介电层3和第一光刻胶层在各个盲孔的周围形成第一介电支撑。
[0036]在本步骤中，第一图案由曝光显影技术在第一光刻胶层上形成图案。当蚀刻完成后，清除第一光刻胶层。将第一图案显影在第一光刻胶层上，在蚀刻时可以保护第一介电层3不需要被蚀刻的部位，并且能够使得第一介电层3形成的团与第一图案一致。
[0037]步骤四：在各个第一介电支撑的间隙内采用化学沉积或者电镀的方式设置有第一导电层4，第一导电层4与第一介电支撑齐平，此时第一导电层4在中部盲孔处形成了中部焊盘，中部焊盘与导电材料2能够电性连接。
[0038]步骤五：在第一介电层3和第一导电层4的上方设置有第二介电层5，对第二介电层5进行蚀刻形成第二介电支撑和第三介电支撑，第二介电支撑覆盖于中部焊盘的上方，第三介电支撑与侧部盲孔周围的第一介电支撑共线。
[0039]在本步骤中，对第二介电层5进行蚀刻前，在第二介电层5上方涂覆有第二光刻胶层，在第二光刻胶层上形成有第二图案，蚀刻第二介电层5后，将第二光刻胶层清除。
[0040]步骤六，在第二介电支撑和/或第三介电支撑的间隙内设置有第二导电层6，第二导电层6的设置方式有第一导电层4的设置方式相同，并且第二导电层6与第二介电支撑齐平。
[0041]在本申请中，第一图案和第二图案在第一光刻胶层和第二光刻胶层上的投影采用曝光显影技术实现。利用第一图案和第二图案形成第一介电支撑、第二介电支撑和第三介电支撑有利于保证第三介电支撑与第一介电支撑共线，防止第一介电支撑和第三介电支撑错位，造成第二导电层6和第一导电层4之间无法导电。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，其特征在于，包括：S1.在转接板本体(1)的上表面开设有盲孔，所述盲孔包括多个位于转接板本体(1)中央的中部盲孔及多个位于中部盲孔周围的侧部盲孔，S2.在各盲孔内填充导电材料(2)至与转接板本体(1)的上表面齐平；S3.在转接板本体(1)的上表面设置有第一介电层(3)，蚀刻第一介电层(3)，并在各盲孔的周围形成第一介电支撑；S4.在第一介电支撑的间隙内设置第一导电层(4)，第一导电层(4)与第一介电支撑齐平，第一导电层(4)在中部盲孔处形成中部焊盘；S5.在第一介电层(3)和第一导电层(4)的上方设置有第二介电层(5)，并对第二介电层(5)进行蚀刻形成第二介电支撑和第三介电支撑，所述第二介电支撑覆盖于中部焊盘，第三介电支撑与侧部盲孔周围的第一介电支撑共线；S6.在第二介电支撑和/或第三介电支撑的间隙内设置第二导电层(6)，第二导电层(6)与第二介电支撑齐平；S7.在第二介电层(5)和第二导电层(6)上方设置有第三介电层，对第三介电层进行蚀刻，使得侧部盲孔上方的第二导电层(6)裸露，在第二导电层(6)裸露处设置第三导电层形成侧部焊盘；S8.清除第三介电层和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕晓东，郑博宇，刘振，
申请(专利权)人：长沙安牧泉智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：