半导体光电元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体光电元件，其包括基底、绝缘结构、外延结构以及第一电极。基底具有上表面包含第一区及第二区。绝缘结构位于第一区而不位于第二区上且具有第一侧壁。外延结构位于第二区上且包含活性结构。第一电极位于外延结构上。活性结构与绝缘结构在水平方向上重叠且/或活性结构与第一电极在水平方向上重叠。第一侧壁与第一区之间具有第一夹角小于90

【技术实现步骤摘要】
半导体光电元件


[0001]本专利技术涉及半导体光电元件，特别是涉及半导体发光元件(如发光二极管(Light emitting diode，LED)等)。

技术介绍

[0002]半导体光电元件的用途非常广泛，近年来相关材料及产品的开发研究也持续进行。举例而言，包含三族及五族元素的III
‑
V族半导体材料可应用于如发光二极管、激光二极管(Laser diode，LD)、光电侦测器或太阳能电池(Solar cell)，或者如开关或整流器的半导体功率元件。此些产品能应用于各种领域如照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种半导体光电元件，其包括基底、绝缘结构、外延结构以及第一电极。基底具有上表面包含第一区及第二区。绝缘结构位于第一区而不位于第二区上且具有第一侧壁。外延结构位于第二区上且包含活性结构。第一电极位于外延结构上。活性结构与绝缘结构在水平方向上重叠且/或活性结构与第一电极在水平方向上重叠。第一侧壁与第一区之间具有第一夹角小于90
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体光电元件，包括：基底，具有上表面包含第一区及第二区；绝缘结构，位于该第一区而不位于该第二区上且具有第一侧壁；外延结构，位于该第二区上且包含活性结构；以及第一电极，位于该外延结构上；其中，该活性结构与该绝缘结构在水平方向上重叠且/或该活性结构与该第一电极在水平方向上重叠，该第一侧壁与该第一区之间具有第一夹角小于90
°
，且该第一侧壁与该第二区之间具有第二夹角大于90
°
。2.如权利要求1所述的半导体光电元件，其中该外延结构还包含第一半导体结构，位于该基底与该活性结构之间；以及第二半导体结构，位于该活性结构上且覆盖于该绝缘结构的一部分。3.如权利要求2所述的半导体光电元件，其中该第二半导体结构的宽度介于该第一半导体结构的宽度与该活性结构的宽度之间。4.如权利要求2所述的半导体光电元件，其中该第二半导体结构具有第二侧壁，且该第一电极覆盖于该第二侧壁。5.如权利要求1所述的半导体光电元件，其中该第一侧壁仅直接接触该活性结构。6.一种半导体光电元件的制造方法，包括：提供基底，该基底具有上表面包含第一区及第二区；在该基...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹文明，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：