一种发光二极管倒装芯片制造技术

一种发光二极管倒装芯片，包括衬底、N

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管倒装芯片


[0001]本技术涉及半导体照明
，具体涉及一种发光二极管倒装芯片。

技术介绍

[0002]LED芯片的出光效率在于外量子效率和内量子效率，其中外量子效率大于等于内量子效率与光的逃逸率之积。当前，商业化LED的内量子小笼包已经接近100％，但是外量子效率仅有3
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30％，这主要是由于光的逃逸低造成的。因此，外量子效率成为高亮度LED芯片的主要技术瓶颈。
[0003]引起光逃逸的因素有：晶格缺陷对光的吸收、衬底对光的吸收、光出射过程中各个界面由于全反射造成的损失等等。对于后者，是因为GaN和空气的反射系数分别是2.5和1，因此在量子阱发光层产生的光能够传播出去的临界角约为23度，大于23度出射角的光就产生全反射，大大限制了GaN基发光二极管的外量子效率。
[0004]目前，在LED高压芯片制造过程中，将芯片的发光半导体层切割成独立发光半导体单元是极其重要的步骤，并且为了提升芯片的发光亮度，往往会通过ISO刻蚀GaN缓冲层，将ISO刻蚀槽的PSS图形完全暴露出来，这样有利于光波的进行漫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管倒装芯片，包括衬底（1）、 N
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GaN半导体层（2）、发光区（3）、 P
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GaN半导体层（4）、CBL电流阻挡层（5）、ITO透明导电层（6）、ISO刻蚀槽（7）、N
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GaN台阶处（8）、第一电极N
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Finger（9）、第一电极P
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Finger（10）、PV绝缘层/DBR反射层（11）、 第一电极P
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Finger通孔（12）、第二电极P
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METAL（13）、第一电极N
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Finger通孔（14）、第二电极N
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METAL（15）、DIEL绝缘保护层（16）、电极焊盘层P
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PAD（17）和电极焊盘层N
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PAD（18），衬底的表面为带有PSS微图形的衬底；其特征在于：所述的ISO刻蚀槽（7）中设置有高度为H的GaN半导体缓冲层，所述PSS微图形的漏出高度为h；所述N
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GaN半导体层的高度H>0，PSS微图形漏出高度h>0，且H+h等于PSS微图形的总高度。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管倒装芯片，其特征在于：所述ISO刻蚀槽（...

【专利技术属性】
技术研发人员：任加洛，李冬梅，王思博，廖汉忠，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：