【技术实现步骤摘要】
微型发光器件和包括其的显示装置
[0001]本公开涉及微型发光器件和包括其的显示装置，更具体地，涉及具有适于在流体自组装方法中对准的结构的微型发光器件和包括其的显示装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(LED)因其具有低功耗和环保的优点而增加了工业需求，用于照明装置或液晶显示器(LCD)背光，也用作显示装置的像素。最近，已经开发了使用微单元LED芯片作为像素的微型LED显示装置。在制造使用微单元LED芯片的显示装置时，激光剥离或拾取和放置方法被用作转移微型LED的方法。然而，在这种方法中，随着微型LED的尺寸减小以及显示装置的尺寸增大，生产率降低。
技术实现思路
[0003]提供了一种微型发光器件，其具有适于在流体自组装方法中对准的结构。
[0004]提供了一种显示装置，其可以通过流体自组装方法制造。
[0005]附加方面将部分在以下描述中阐述，部分将从描述中明显，或可通过实践本公开的实施方式而了解。
[0006]根据本公开的一方面，一种微型发光器件包括：掺有具有第一导电性的第一杂...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微型发光器件，包括：第一半导体层，掺有具有第一导电性的第一杂质；发光层，布置在所述第一半导体层的上表面上；第二半导体层，布置在所述发光层的上表面上，所述第二半导体层掺有具有与所述第一导电性电相反的第二导电性的第二杂质；绝缘层，布置在所述第二半导体层的上表面上；第一电极，布置在所述绝缘层的上表面上并电连接到所述第一半导体层；第二电极，布置在所述绝缘层的所述上表面上并电连接到所述第二半导体层；以及铝氮化物层，布置在所述第一半导体层的下表面上，所述铝氮化物层包括平坦表面。2.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述微型发光器件的宽度在1μm至100μm的范围内。3.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述第一半导体层的宽度大于所述微型发光器件的厚度。4.根据权利要求3所述的微型发光器件，其中所述微型发光器件的所述厚度在2μm至10μm的范围内，并且所述第一半导体层的所述宽度在5μm至50μm的范围内。5.根据权利要求3所述的微型发光器件，其中所述第二半导体层的宽度大于所述微型发光器件的所述厚度。6.根据权利要求5所述的微型发光器件，其中所述微型发光器件的侧表面是倾斜的，使得所述第一半导体层的所述宽度大于所述第二半导体层的所述宽度。7.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述铝氮化物层的表面的表面粗糙度为50nm或更小。8.根据权利要求7所述的微型发光器件，其中所述铝氮化物层的所述表面的所述表面粗糙度为10nm或更小。9.根据权利要求1所述的微型发光器件，还包括分布在所述第一半导体层内部的不规则光散射结构。10.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述铝氮化物层包括多个隔离的凹槽。11.根据权利要求10所述的微型发光器件，其中所述多个隔离的凹槽中的每个具有点形状，以及其中所述多个隔离的凹槽二维排列在所述铝氮化物层的表面中。12.根据权利要求10所述的微型发光器件，其中所述多个隔离的凹槽中的每个具有环形形状，以及其中所述多个隔离的凹槽同心地布置在所述铝氮化物层的表面中。13.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述第二电极布置在沿水平方向与所述第二半导体层的中心对应的位置，以及其中所述第一电极布置在沿所述水平方向与所述第二半导体层的边缘对应的位置。14.根据权利要求13所述的微型发光器件，其中所述第一电极具有围绕所述第二电极的对称形状。15.根据权利要求13所述的微型发光器件，还包括穿过所述第二半导体层和所述发光层的通孔，
其中所述绝缘层延伸以围绕所述通孔的侧壁，并且所述第一电极被配置为通过所述通孔接触所述第一半导体层，以及其中所述第二电极被配置为穿透所述绝缘层并接触所述第二半导体层。16.根据权利要求13所述的微型发光器件，还包括布置在所述第一电极和所述第二电极之间的接合扩散防止壁。17.根据权利要求16所述的微型发光器件，其中所述接合扩散防止壁在所述绝缘层的所述上表面上具有突出形状。18.根据权利要求16所述的微型发光器件，其中所述接合扩散防止壁具有凹槽形状。19.根据权利要求13所述的微型发光器件，其中从垂直方向上观察所述微型发光器件具有矩形截面，以及其中所述第一电极布置在沿对角线方向彼此面对的两个顶点区域中。20.根据权利要求19所述的微型发光器件，还包括布置在不同于所述两个顶点区域的两个其他顶点区域的每个中的接合焊盘，所述两个其他顶点区域在不同于所述对角线方向的另一对角...
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