一种阶段式接入熔体的激励保护装置制造方法及图纸

技术编号:37631402 阅读:13 留言:0更新日期:2023-05-20 08:52
一种阶段式接入熔体的激励保护装置,包括壳体、导体,激励源和冲击装置;在冲击装置上设置有导电件,导电件一端伸出冲击装置冲击端端面,在初始位置时,导电件与导体不接触;熔体穿设在壳体内或冲击装置内的灭弧腔室中,熔体两端分别与导电件导电连接或通过导电接触件与导电件导电连接;当冲击装置在激励源激励下位移且断开导体形成断口到达死点位置的过程中,导电件和熔体与导体的关系依次为:不连接、并联连接、与导体断口两侧串联连接、脱离导电连接。本发明专利技术的激励保护装置,能实现小电流和零电流下的分断;可实现快速保护;断后绝缘性能优良;分断能力高,灭弧能力强;耐电流冲击性好,发热量小。发热量小。发热量小。

【技术实现步骤摘要】
一种阶段式接入熔体的激励保护装置


[0001]本专利技术涉及电力领域和新能源汽车领域,尤其是指对该领域内电路进行保护的保护装置。

技术介绍

[0002]目前电力控制和新能源汽车的电池包保护器件除了传统的热熔熔断器,还存在一种快速切断开口的结构(即激励保护装置)并逐渐扩大应用范围。熔断器为利用电流热积累效应,使熔体设置的电流感知点(狭颈)在一定时间里熔化断开并熄灭电弧的保护器件。激励保护装置为短时间内利用激励源驱动绝缘的冲击装置断开与电路连接的导体形成物理断口从而断开电路的一种快速保护器件。
[0003]激励保护装置的优点为通过快速切断开口实现快速保护、耐电流冲击性好、发热量小、断开后可实现完全的物理隔绝;缺点为单靠切断开口分断上限不高、灭弧能力弱(依靠空气冷却灭弧或挤压灭弧)。熔断器的优点为成熟稳定、可分断上限高、灭弧能力强,缺点为:耐电流冲击性差;发热量较大;在低倍数故障电流下需长时间才能断开电路,无法实现快速保护;熔断器熔断后无法达到完全的物理隔绝;体积重量较大。
[0004]综合激励保护装置和熔断器的优缺点,进一步出现了在以上所述的激励保护装置的导体上固定并联连接熔体来提高灭弧能力和分断能力的方案,即打断导体后依靠熔体熔断进行灭弧的激励保护装置。该方案能够大幅度提高激励保护装置的分断上限,避免了熔断器自身的一些缺点,但由于依靠熔体熔断无法实现在小电流和零电流下的分断;在分断电流范围内的下限电流下熔体熔断需要较长时间,无法实现快速保护,且分断后绝缘性能不佳。基于这些缺点,在导体上固定并联连接熔体的激励保护装置的应用范围受到限制。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种激励保护装置,在初始状态时,熔体与导体非并联连接设置,熔体也不能连通电路,仅需通过冲击装置的运动使熔体在冲击装置运动后断开导体前就与导体并联连接从而实现导体断开后依靠熔体连通电路,在冲击装置运动到位后,熔体与导体脱离导电接触,电路断开。
[0006]为实现上述技术目的,本专利技术提供的技术方案是一种阶段式接入熔体的激励保护装置,包括壳体、穿设在壳体中的导体,位于壳体中的激励源和冲击装置,所述导体两端位于壳体外部,激励源接收激励信号动作驱动冲击装置断开所述导体;在所述冲击装置上设置有导电件,所述导电件一端伸出所述冲击装置冲击端端面,在初始位置时,所述导电件与所述导体不接触;熔体穿设在所述壳体内或冲击装置内的灭弧腔室中,熔体两端分别与导电件导电连接或通过导电接触件与导电件导电连接;当冲击装置在激励源激励下位移且断开所述导体形成断口到达死点位置的过程中,所述导电件和所述熔体与所述导体的关系依次为:不连接、并联连接、与导体断口两侧串联连接、脱离导电连接。
[0007]优选地,所述熔体两端分别导电连接有一所述导电接触件,所述导电接触件穿过
所述灭弧腔室位于所述灭弧腔室外;至少一个所述导电接触件与所述导电件导电接触,冲击装置在激励源激励下位移且断开所述导体形成断口到达死点位置的过程中,所述导电件与所述导电接触件保持导电接触至导体断开后再脱离导电接触。
[0008]优选地,在所述冲击装置冲击端侧面设置有一个导电件,其中一个所述导电接触件与所述导电件导电接触,另一个导电接触件与导体导电连接。
[0009]优选地,在所述冲击装置冲击端相对两侧面设置有两个相互绝缘的导电件,两所述导电接触件分别与一个所述导电件导电接触。
[0010]优选地,所述导电件伸出所述冲击装置冲击端端面的部分为弹片结构。
[0011]优选地,所述导电接触件与所述导电件接触一端为弹性结构。
[0012]优选地,当所述灭弧腔室位于所述冲击装置内时,在所述冲击装置冲击端相对两侧,靠近侧面位置处开设有透孔,所述导电件穿设在所述透孔中与熔体两端连接。
[0013]优选地,所述冲击装置供两所述导电件穿设的透孔的外侧面处、及与其对应的壳体空腔底部相对位置处设置有可相配合的绝缘结构。
[0014]优选地,所述绝缘结构包括相互嵌套密封的凹槽和凸块,所述凹槽或凸块分别设置于所述冲击装置供两所述导电件穿设的透孔的外侧面处、及与其对应的壳体空腔底部相对应位置处。
[0015]优选地,所述灭弧腔室位于冲击装置位移的死点位置一侧的所述壳体上。
[0016]优选地,所述冲击装置冲击端为倒梯形结构、或锥形结构、或刃状结构。
[0017]优选地,所述冲击装置上部与所述壳体内的空腔密封接触,在所述壳体内的空腔中设置有为所述冲击装置提供位移导向的导向装置。
[0018]优选地,当所述灭弧腔室为所述冲击装置中时,穿设在所述灭弧腔室中的所述熔体与所述导电件一体连接。
[0019]优选地,在所述冲击装置位移的死点位置处的壳体处设置有数道灭弧栅。
[0020]优选地,数道所述灭弧栅形成的端面形状与所述冲击装置的冲击端面形状相匹配。
[0021]本专利技术的激励保护装置,能实现小电流和零电流下的分断;可实现快速保护;断后绝缘性能优良;分断能力高,灭弧能力强;耐电流冲击性好,发热量小。
附图说明
[0022]图1是实施例1的初始位置时结构示意图。
[0023]图2是实施例1的熔体与导体导电接触,导体未被断开前的结构示意图。
[0024]图3是实施例1的冲击装置运动到死点位置,导体和熔体均断开结构示意图。
[0025]图4是实施例2的初始位置时结构示意图。
[0026]图5是实施例2的熔体与导体导电接触,导体未被断开前的结构示意图。
[0027]图6是实施例2的冲击装置运动到死点位置,导体和熔体均断开结构示意图。
[0028]图7是实施例3的初始位置时结构示意图。
[0029]图8是实施例3的熔体与导体导电接触,导体未被断开前的结构示意图。
[0030]图9是实施例3的冲击装置运动到死点位置,导体和熔体均断开结构示意图。
[0031]图10是实施例4结构示意图,其中a图为设置有灭弧栅的结构示意图,b图为动作后
结构示意图。
具体实施方式
[0032]针对上述技术方案,现举几个较佳实施例并结合图示进行具体说明。
[0033]实施例1
[0034]壳体,材质为绝缘材质,可通过注塑等方式成型。参看图1至图3,包括第一壳体10和第二壳体11,导体3位于第一壳体10与第二壳体11之间,第一壳体10和第二壳体11接触面密封,其可以通过在接触面设置嵌套的凹槽凸棱等密封结构或设置密封圈等密封装置实现密封,通过接触面密封,既可防止外物污染断口,可也防止高温电弧喷出壳体损坏周围的器件,同时延长冲击装置在空腔中的密封长度。第一壳体10和第二壳体11中开设有相互贯通的空腔,导体为长条片状结构,穿设在空腔中,导体的两端分别位于壳体的外部,可与外部电路连接,实现电路保护。在位于壳体空腔内的导体上开设有断开薄弱处和旋转薄弱处,冲击装置2的冲击端对应断开薄弱处位置。断开薄弱处为降低导体机械强度的结构,比如变截面结构,例如在本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阶段式接入熔体的激励保护装置,包括壳体、穿设在壳体中的导体,位于壳体中的激励源和冲击装置,所述导体两端位于壳体外部,激励源接收激励信号动作驱动冲击装置断开所述导体;其特征在于,在所述冲击装置上设置有导电件,所述导电件一端伸出所述冲击装置冲击端端面,在初始位置时,所述导电件与所述导体不接触;熔体穿设在所述壳体内或冲击装置内的灭弧腔室中,熔体两端分别与导电件导电连接或通过导电接触件与导电件导电连接;当冲击装置在激励源激励下位移且断开所述导体形成断口到达死点位置的过程中,所述导电件和所述熔体与所述导体的关系依次为:不连接、并联连接、与导体断口两侧串联连接、脱离导电连接。2.根据权利要求1所述的激励保护装置,其特征在于,所述熔体两端分别导电连接有一所述导电接触件,所述导电接触件穿过所述灭弧腔室位于所述灭弧腔室外;至少一个所述导电接触件与所述导电件导电接触,冲击装置在激励源激励下位移且断开所述导体形成断口到达死点位置的过程中,所述导电件与所述导电接触件保持导电接触至导体断开后再脱离导电接触。3.根据权利要求2所述的激励保护装置,其特征在于,在所述冲击装置冲击端侧面设置有一个导电件,其中一个所述导电接触件与所述导电件导电接触,另一个导电接触件与导体导电连接。4.根据权利要求2所述的激励保护装置,其特征在于,在所述冲击装置冲击端相对两侧面设置有两个相互绝缘的导电件,两所述导电接触件分别与一个所述导电件导电接触。5.根据权利要求1所述的激励保护装置,其特征在于,所述导电件伸出所述冲击装置冲击端端面的部分为弹片结构。6.根据权利要求2所述的激励保护装置,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:段少波王欣石晓光戈西斌
申请(专利权)人:西安中熔电气股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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