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半导体光电元件制造技术
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文档序号:37631403
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本发明公开一种半导体光电元件,其包括基底、绝缘结构、外延结构以及第一电极。基底具有上表面包含第一区及第二区。绝缘结构位于第一区而不位于第二区上且具有第一侧壁。外延结构位于第二区上且包含活性结构。第一电极位于外延结构上。活性结构与绝缘结构在水...
该专利属于晶元光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过晶元光电股份有限公司授权不得商用。
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