一种晶圆级封装方法技术

本发明专利技术申请公开了一种晶圆级封装方法，包括以下步骤：基板打标步骤：将基板一表面上蚀刻出至少一组防呆标记和位置标记；晶圆打标步骤：在每个晶圆上形成与位置标记相同的对位标记，对位标记与位置标记对准，晶圆平边或缺口与防呆标记对准；封装处理步骤：将晶圆有源面做的与防呆标记和位置标记相匹配的凸起，包封后将凸起处的标记转出到封装体上，形成塑封标记，并布线，后根据塑封标记分板并切割成单颗成品，本申请通过基板上的位置标记、防呆标记、多球拼成特征形状和塑封标记，精准定位晶圆的位置，防止切割误伤，保证相同的流程下可作业多片晶圆，小尺寸晶圆亦可实现设备上的兼容，加工时效缩短，生产成本降低。生产成本降低。生产成本降低。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级封装方法


[0001]本专利技术申请属于芯片封装
，尤其涉及一种晶圆级封装方法。

技术介绍

[0002]伴随着电子工业的高速发展，电子产品的集成能力在不断提升，功能日益强大而体积也越来越小型化，电子产品中芯片的加工至关重要，而芯片加工中各个环节的工艺也在随之改善提升，比如封装，晶圆级封装是封装的一种方式，晶圆级封装是以晶圆片为加工对象，在晶圆片上同时对众多芯片进行封装、布线、测试，最后切割为单个器件，可以直接贴装到基板或者印刷电路板上，使得封装尺寸减小至IC芯片尺寸，生产成本大幅度下降，很多芯片微模组都是通过晶圆级封装后切割加工形成，如一种保护器件
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瞬态电压抑制二极管（TVS）等小芯片。
[0003]小芯片的晶圆级封装目前主流是针对6寸及6寸以上的晶圆片，由于目前都是采用先进封装，小尺寸的晶圆片很难实现设备上的兼容，且在相同的工艺流程下，单片晶圆尺寸更小，其产出的芯片数量更少，在封装效率低的同时每个芯片的平均成本更高，且晶圆都只是通过晶圆上的V槽或者平边来确定摆放位置，对于放置多个晶圆的封装结构，晶圆包封后难以确定晶圆位置，故如何将晶圆精准对位后实现设备兼容、提高产量以完成晶圆级封装是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述现有技术中的问题，本专利技术申请提供了一种晶圆级封装方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术申请提出的一种晶圆级封装方法，包括以下步骤：基板打标步骤：将基板一表面上蚀刻出至少一组防呆标记和位置标记，每组防呆标记和位置标记位于此处晶圆直径的各等长延长线上；晶圆打标步骤：在每个晶圆上形成与位置标记相同的对位标记，对位标记与位置标记对准，晶圆平边或缺口与防呆标记对准，初步定位晶圆在基板上的放置位置；封装处理步骤：将晶圆有源面做的与防呆标记和位置标记相匹配的凸起，包封后将凸起处的标记转出到封装体上，形成塑封标记，并布线，后根据塑封标记分板并切割成单颗成品。
[0006]进一步，所述基板打标步骤中，晶圆直径＜位置标记之间的间距＜晶圆直径的1.2倍。
[0007]进一步，所述基板打标步骤中，打标后在基板的表面贴胶，用以将晶圆粘接，且该胶为半透明胶。
[0008]进一步，所述基板打标步骤中，每组防呆标记和位置标记位于与此处晶圆同心的外侧正方形的边长上。
[0009]进一步，所述晶圆打标步骤中，该晶圆的厚度范围为≦400μm，且在晶圆的切割道处做预切割形成预切割道，预切割道的深度范围为晶圆厚度的0.5～0.7倍。
[0010]进一步，所述晶圆打标步骤中，预切割道形成在晶圆上彼此靠近的芯片之间，且其宽度范围为≥60μm。
[0011]进一步，所述封装处理步骤中还包括：S1、包封后研磨暴露出凸起以将标记转出至封装体上；S2、对各个晶圆依次通过曝光、显影和电镀形成布线和引脚；S3、再次包封，去除基板和其上的胶，并从该面研磨晶圆至预切割道；S4、分板后切割预切割道的包封料，以形成单颗产品。
[0012]本专利技术申请：通过基板上的位置标记和防呆标记对应晶圆的槽边和对位标记，初步定位多个晶圆的放置位置，且在晶圆的芯片上形成凸起，多球拼成特征形状，将对位标记记录，再在后续的工艺流程中，将记录的标记转入为塑封标记，精准定位晶圆的位置，防止切割误伤，保证相同的流程下可作业多片晶圆，小尺寸晶圆亦可实现设备上的兼容，加工时效缩短，生产成本降低。
附图说明
[0013]图1为本专利技术申请一种晶圆级封装方法的晶圆粘贴后的俯视图；图2为本专利技术申请一种晶圆级封装方法的晶圆包封后研磨暴露出凸起的俯视图；图3为本专利技术申请一种晶圆级封装方法的封装处理步骤中的晶圆包封后研磨暴露出凸起的剖视图；图4为本专利技术申请一种晶圆级封装方法的封装处理步骤中的晶圆电镀并包封的示意图；图5为本专利技术申请一种晶圆级封装方法的封装处理步骤中的去除基板的示意图；图6为本专利技术申请一种晶圆级封装方法的封装处理步骤中的晶圆底部研磨的示意图；图7为本专利技术申请一种晶圆级封装方法的切割为单颗产品的剖视图。
[0014]图中标记说明：基板1、晶圆2、凸起3、防呆标记4、位置标记5、对位标记6、塑封标记7、引脚8、预切割道9。
具体实施方式
[0015]下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0016]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0017]为了更好地了解本专利技术申请的目的、结构及功能，下面结合附图1
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7，对本专利技术申
请提出的一种晶圆级封装方法，做进一步详细的描述，包括以下步骤：基板打标步骤：将基板1一表面上蚀刻出至少一组防呆标记4和位置标记5，每组防呆标记4和位置标记5位于此处晶圆2直径的各等长延长线上；晶圆打标步骤：在每个晶圆2上形成与位置标记5相同的对位标记6，对位标记6与位置标记5对准，晶圆2平边或缺口与防呆标记4对准，初步定位晶圆2在基板1上的放置位置；封装处理步骤：将晶圆2有源面做的与防呆标记4和位置标记5相匹配的凸起3，包封后将凸起3处的标记转出到封装体上，形成塑封标记7，并布线，后根据塑封标记7分板并切割成单颗成品。
[0018]其中，基板打标步骤中，基板1是本领域常用的材料，可以为FR
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4等其他基板1，本申请中基板1上灼烧形成4组标记，基板1上放置4片晶圆2，每块晶圆2放置在一组标记之间，本申请中，每组防呆标记4和位置标记5分布于与此处晶圆2同心的外侧正方形的边长上，标记需要根据晶圆2的大小设置不同的间距，晶圆2直径＜位置标记5之间的间距＜晶圆2直径的1.2倍，基板1上的位置标记5和防呆标记4可以为十字、多变形等形状，可以通过激光灼烧的方式形成，且位置标记5和防呆标记4不同，本申请中以位置标记5为十字，而防呆标记4为三角形为例，防呆标记4用于对应晶圆2的V槽（Notch口）或平边（Flat口），即晶圆2制备过程中的Flat/Notch Grinning步骤所形成的，可以帮助后续工序确定晶圆2的摆放位置，打标后在基板1的表面贴胶，用以将晶圆2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：基板打标步骤：将基板一表面上蚀刻出至少一组防呆标记和位置标记，每组防呆标记和位置标记位于此处晶圆直径的各等长延长线上；晶圆打标步骤：在每个晶圆上形成与位置标记相同的对位标记，对位标记与位置标记对准，晶圆平边或缺口与防呆标记对准，初步定位晶圆在基板上的放置位置；封装处理步骤：将晶圆有源面做的与防呆标记和位置标记相匹配的凸起，包封后将凸起处的标记转出到封装体上，形成塑封标记，并布线，后根据塑封标记分板并切割成单颗成品。2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述基板打标步骤中，晶圆直径＜位置标记之间的间距＜晶圆直径的1.2倍。3.根据权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述基板打标步骤中，打标后在基板的表面贴胶，用以将晶圆粘接，且该胶为半透明胶。4.根据权利要求3所述的晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：张光耀，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：