封装结构制造方法及封装结构技术

本发明专利技术公开了一种封装结构制造方法及封装结构，其中封装结构制造方法在承载基板上设置氢化非晶硅层和可溶粘接层，封装步骤完成后，先使用激光照射氢化非晶硅层，使氢化非晶硅层中键能较弱的Si

【技术实现步骤摘要】
封装结构制造方法及封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种封装结构制造方法及封装结构。

技术介绍

[0002]扇出型面板级封装中，需在承载基板上完成封装制程，而后再将封装结构从承载基板上剥离。相关技术中，可在承载基板上覆盖可溶解材料形成的粘接层，完成封装制程后，将封装结构、粘接层及承载基板的组合体浸泡在用于溶解粘接层的剥离液中，但该方法的溶解速度较慢，生产效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种封装结构制造方法，结合使用氢化非晶硅与可溶解材料，氢化非晶硅层能够在激光的照射下产生间隙，使剥离液与可溶粘接层的接触面积增大，提升可溶解材料的溶解速度，从而提高生产效率。
[0004]本专利技术还提出了一种通过上述封装结构制造方法制造的封装结构。
[0005]本专利技术第一方面实施例提供的封装结构制造方法，包括步骤：
[0006]准备承载基板；
[0007]在所述承载基板的一侧表面覆盖氢化非晶硅层；
[0008]在所述氢化非晶硅层远离所述承载基板的一侧覆盖可溶粘接层；
[0009]在所述可溶粘接层远离所述氢化非晶硅层的一侧进行封装步骤，以在所述可溶粘接层远离所述氢化非晶硅层的一侧形成多个相互连接的封装结构；
[0010]使用激光照射所述承载基板远离所述氢化非晶硅层的一侧，使所述氢化非晶硅层和所述可溶粘接层之间产生空隙；
[0011]对多个相互连接的封装结构与所述承载基板、所述氢化非晶硅层、所述可溶粘接层的组合体进行分割，形成多个相互分离的封装单元，每一所述封装单元均包括一个所述封装结构；
[0012]将所述封装单元置入剥离液中，使所述可溶粘接层溶解于所述剥离液，以使所述封装结构脱离所述承载基板。
[0013]本专利技术第一方面实施例提供的封装结构制造方法，至少具有如下有益效果：在承载基板上设置氢化非晶硅层和可溶粘接层，封装步骤完成后，先使用激光照射氢化非晶硅层，使氢化非晶硅层中键能较弱的Si
‑
H键吸收能量发生断裂，大量游离氢溢出，产生氢爆现象，从而在氢化非晶硅层形成大量空隙，而后使用剥离液浸泡封装单元，剥离液能够进入氢化非晶硅层的空隙中，剥离液与可溶粘接层的接触面积变大，因此可溶粘接层能够更快地溶解在剥离液中，使封装结构与承载基板更快地分离，从而能够提高生产效率。
[0014]在本专利技术的一些实施例中，所述在所述承载基板的一侧表面覆盖氢化非晶硅层，包括步骤：
[0015]在所述承载基板的一侧表面通过气相沉积法沉积所述氢化非晶硅层。
[0016]在本专利技术的一些实施例中，所述在所述承载基板的一侧表面通过气相沉积法沉积所述氢化非晶硅层，包括步骤：
[0017]通过硅烷与氢气的反应在所述承载基板的一侧表面沉积所述氢化非晶硅层。
[0018]在本专利技术的一些实施例中，所述氢化非晶硅层的氢含量为5％至20％。
[0019]在本专利技术的一些实施例中，所述氢化非晶硅层的厚度为2nm至10nm。
[0020]在本专利技术的一些实施例中，所述可溶粘接层的材料为丙烯酸类树脂或苯酚酚醛树脂，所述剥离液为有机碱溶液。
[0021]在本专利技术的一些实施例中，所述封装步骤，包括步骤：
[0022]在所述可溶粘接层远离所述承载基板的一侧覆盖胶层，所述胶层不易溶于所述剥离液；
[0023]在所述胶层远离所述可溶粘接层的一侧贴附晶片；
[0024]在所述胶层远离所述可溶粘接层的一侧制作重布线层，使所述重布线层与所述晶片电连接；
[0025]在所述重布线层远离所述胶层的一侧覆盖塑封层；
[0026]在所述塑封层远离所述重布线层的一侧制作焊料凸块，使所述焊料凸块与所述重布线层电连接。
[0027]在本专利技术的一些实施例中，所述胶层的材料为环氧树脂或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
[0028]在本专利技术的一些实施例中，所述激光为紫外激光。
[0029]本专利技术第二方面实施例提供的封装结构，通过本专利技术第一方面任一实施例提供的封装结构制造方法制成。
[0030]本专利技术第二方面实施例提供的封装结构，至少具有如下有益效果：通过本专利技术第一方面任一实施例提供的封装结构制造方法制成的封装结构，其生产效率较高，有利于降低生产成本。
[0031]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0032]下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明，其中：
[0033]图1为本专利技术第一方面实施例提供的封装结构制造方法的流程图；
[0034]图2为图1所示的S400步骤的封装步骤的流程图；
[0035]图3为图1中S200步骤实施完成后的示意图；
[0036]图4为图1中S300步骤实施完成后的示意图；
[0037]图5为图1中S400步骤实施完成后的示意图；
[0038]图6为图1中S500步骤实施过程中的示意图；
[0039]图7为图1中S600步骤实施过程中的示意图；
[0040]图8为图1中S700步骤实施过程中的示意图；
[0041]图9为图1中S700步骤实施过程中的另一示意图；
[0042]图10为图1中S700步骤实施完成后的示意图。
[0043]附图标记：
[0044]承载基板100，氢化非晶硅层200，空隙210，可溶粘接层300，封装结构400，胶层410，晶片420，重布线层430，塑封层440，焊料凸块450，封装单元500，剥离液600。
具体实施方式
[0045]下面详细描述本专利技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0046]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0047]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。
[0048]本专利技术的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0049]扇出型面板级封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.封装结构制造方法，其特征在于，包括步骤：准备承载基板；在所述承载基板的一侧表面覆盖氢化非晶硅层；在所述氢化非晶硅层远离所述承载基板的一侧覆盖可溶粘接层；在所述可溶粘接层远离所述氢化非晶硅层的一侧进行封装步骤，以在所述可溶粘接层远离所述氢化非晶硅层的一侧形成多个相互连接的封装结构；使用激光照射所述承载基板远离所述氢化非晶硅层的一侧，使所述氢化非晶硅层和所述可溶粘接层之间产生空隙；对多个相互连接的封装结构与所述承载基板、所述氢化非晶硅层、所述可溶粘接层的组合体进行分割，形成多个相互分离的封装单元，每一所述封装单元均包括一个所述封装结构；将所述封装单元置入剥离液中，使所述可溶粘接层溶解于所述剥离液，以使所述封装结构脱离所述承载基板。2.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，所述在所述承载基板的一侧表面覆盖氢化非晶硅层，包括步骤：在所述承载基板的一侧表面通过气相沉积法沉积所述氢化非晶硅层。3.根据权利要求2所述的封装结构制造方法，其特征在于，所述在所述承载基板的一侧表面通过气相沉积法沉积所述氢化非晶硅层，包括步骤：通过硅烷与氢气的反应在所述承载基板的一侧表面沉积所述氢化非晶硅层。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，张晓军，姜鹭，陈志强，方安安，杨登亮，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：