半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备：第一芯片焊盘，其具有朝向厚度方向的第一主面；半导体元件，其具有在上述厚度方向上设于上述第一主面所朝向的一侧的电极，并且与上述第一主面接合；导电部件，其与上述电极电接合；以及第一接合层，其将上述导电部件和上述电极电接合。上述导电部件具有主体部、通过上述第一接合层而与上述电极电接合的第一接合部、将上述主体部以及上述第一接合部连接的第一连结部、以及远离上述第一连结部地配置而且与上述第一接合部连接的前端部。沿上述第一主面的面内方向观察时，上述前端部越远离上述第一接合部，则越向远离上述电极的方向倾斜。沿上述厚度方向观察时，上述电极包含扩张区域，该扩张区域在上述面内方向上且在相对于上述前端部与上述第一接合部相反的一侧从上述导电部件伸出。的一侧从上述导电部件伸出。的一侧从上述导电部件伸出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及具备半导体元件的半导体装置。

技术介绍

[0002]现今，普遍公知具备MOSFET等半导体元件的半导体装置。这种半导体装置例如在电力变换电路(逆变器等)中使用，基于预定的电信号进行电流变换。专利文献1公开了具备MOSFET的半导体装置的一例。该半导体装置具备：施加有电源电压的漏极端子；用于输入电信号的栅极端子；以及流动变换后的电流的源极端子。另一方面，MOSFET具有：与漏极端子导通的漏极电极；与栅极端子导通的栅极电极；以及与源极端子导通的源极电极。MOSFET的漏极电极经由焊锡(第一导电性接合材料)而与芯片焊盘(与漏极端子连接)电接合。MOSFET的源极电极经由焊锡(第二导电性接合材料)而与导电部件(金属夹子)接合。在该导电部件也接合有源极端子。根据这种结构，能够在该半导体装置流动较大的电流。
[0003]在专利文献1所公开的半导体装置中，在使用时，容易在源极电极与第二导电性接合材料的界面集中热应力。这是因为从MOSFET产生的热经由源极电极传递至第二导电性接合材料。此外，从MOSFET产生的热经由漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一芯片焊盘，其具有朝向厚度方向的第一主面；半导体元件，其具有在上述厚度方向上设于上述第一主面所朝向的一侧的电极，并且与上述第一主面接合；导电部件，其与上述电极电接合；以及第一接合层，其将上述导电部件和上述电极电接合，上述导电部件具有主体部、通过上述第一接合层而与上述电极电接合的第一接合部、将上述主体部以及上述第一接合部连接的第一连结部、以及远离上述第一连结部地配置而且与上述第一接合部连接的前端部，沿上述第一主面的面内方向观察时，上述前端部越远离上述第一接合部，则越向远离上述电极的方向倾斜，沿上述厚度方向观察时，上述电极包含扩张区域，该扩张区域在上述面内方向上且在相对于上述前端部与上述第一接合部相反的一侧从上述导电部件伸出。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第一芯片焊盘以及上述导电部件分别含有铜。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述第一接合层含有锡。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，沿上述面内方向观察时，在上述第一接合层形成有焊脚，该焊脚从上述电极到达上述导电部件，并且相对于上述电极倾斜，上述焊脚具有与上述电极相接的第一端缘、以及与上述导电部件相接的第二端缘，沿上述厚度方向观察时，上述第一端缘位于比上述第二端缘更靠外方。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，上述第一接合部具有与上述电极对置而且与上述第一接合层相接的接合面，上述前端部具有与上述接合面连接而且相对于上述接合面倾斜的翘曲面，沿上述面内方向观察时，上述焊脚相对于上述电极所成的倾斜角比上述翘曲面相对于上述接合面所成的倾斜角小。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述第二端缘与上述翘曲面相接。7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，沿上述面内方向观察时，上述第一连结部越从上述第一接合部朝向上述主体部，则越向远离上述第一主面的方向倾斜。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：神田泽水，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：