具有TSV支持结构的低Z高度LED阵列封装制造技术

一种用于光发射器像素阵列的封装结构包括多个像素，其中至少一些像素利用像素光限制结构彼此横向分离。具有顶部再分布层的无机衬底附接到所述多个像素，且包含电导体的至少一个硅通孔被界定成穿过所述无机衬底且支持与所述顶部再分布层的电耦合。所述顶部再分布层的电耦合。所述顶部再分布层的电耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有TSV支持结构的低Z高度LED阵列封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年7月15日提交的美国专利申请63/052，151和在2020年9月9日提交的欧洲专利申请20195344.5的优先权，每个申请以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开总体上涉及用于密集封装的发光二极管或激光器的高密度衬底的制造。描述了包括硅通孔(TSV)且支持LED像素阵列的寻址的电互连系统。

技术介绍

[0004]半导体发光装置(LED)可以被布置或形成在密集封装的组或块中。然而，当发光装置较小时，或者许多发光装置被分组在一起时，提供可靠的互连是困难的，特别是如果每个发光装置必须是单独可寻址的并且还提供足够的热量移除。
[0005]用于安装具有大量可寻址像素的LED的一个解决方案可能需要提供小的电迹线、广泛的扇入或扇出结构或过孔。例如，这可以通过在固体陶瓷，玻璃或硅衬底上安装单独的LED或LED模块来实现。不幸的是，这样的安装系统可能需要使用昂贵的材料，提供许多微过孔和复杂的处理设备。此外，在许多情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于光发射器像素阵列的封装结构，包括：多个像素，所述多个像素具有由像素光限制结构彼此横向分离的相邻像素；无机衬底，所述无机衬底具有附接到所述多个像素的顶部再分布层；以及至少一个硅通孔，其包含电导体且被界定成穿过所述无机衬底以支持与所述顶部再分布层的电耦合，所述顶部再分布层安置于所述至少一个硅通孔与所述多个像素之间。2.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述顶部再分布层使用铜柱附接到每一像素。3.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述顶部再分布层与所述铜柱直接接触，且每一像素与将其附接到所述铜柱的焊料材料直接接触。4.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述无机衬底进一步包括底部再分布层，该底部再分布层直接接触包含电导体的所述至少一个硅通孔。5.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中当直接接触所述顶部再分布层时，所述至少一个硅通孔位于所述顶部再分布层与所述底部再分布层之间。6.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述光限制结构进一步包含至少部分地由反射性侧涂层围绕的磷光体材料。7.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述光限制结构进一步包括与磷光体材料对准的漫射层。8.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述封装结构的总Z高度小于300微米。9.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述多个像素包括至少九个像素。10.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述多个像素由分段的GaN层形成。11.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，其中所述多个像素由分段的GaN层形成，其中像素由填充沟槽分开。12.根据权利要求1所述的用于光发射器像素阵列的封装结构，还包括附...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：亮锐有限责任公司，
类型：发明
国别省市：