本实用新型专利技术公开了一种单晶提拉装置及具有其的晶体生长设备，所述单晶提拉装置设于副室且包括：提拉机构，所述提拉机构包括提拉绳和提拉驱动件，所述提拉绳的一端用于连接籽晶，所述提拉驱动件连接在所述提拉绳的另一端；限位机构，所述限位机构包括限位件和限位驱动件，所述限位驱动件与所述限位件相连用于驱动所述限位件沿上下方向移动，所述限位件与所述提拉绳相连用于限制所述提拉绳在水平方向上的位移。根据本实用新型专利技术的单晶提拉装置，通过设置提拉机构，可以完成晶体的生长；同时设置的限位机构，可以在不影响提拉绳旋转提拉的情况下，在不同位置对提拉绳进行水平方向的限位，进而限制提拉绳在旋转提拉过程中产生的晃动，保证晶体生长质量。保证晶体生长质量。保证晶体生长质量。
【技术实现步骤摘要】
单晶提拉装置和具有其的晶体生长设备
[0001]本技术涉及单晶炉
，尤其是涉及一种单晶提拉装置和具有其的晶体生长设备。
技术介绍
[0002]在采用CCZ(直拉法)生长单晶硅时，籽晶由籽晶轴悬吊浸入坩埚内的熔汤中，生长时籽晶轴带动籽晶旋转上升，进而熔汤中的硅原子随着籽晶的旋转提拉生长出晶棒。籽晶轴分为软轴和硬轴两种，软轴一般为吊线，硬轴一般为螺杆，吊线提拉籽晶具有可以卷绕不占空间的优势，硬轴通过螺杆传动实现旋转上升，但是由于晶棒一般生长为2m，需要较长的螺杆才能实现整个长晶过程的提拉。因此软轴为本领域常用的提拉机构，但是软轴也存在其自身的缺点，软轴在旋转提拉的过程中容易产生钟摆效应，进而使籽晶发生晃动，影响晶棒生长质量。
技术实现思路
[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术在于提出一种单晶提拉装置，所述单晶提拉装置可以在不同位置对提拉绳进行水平方向的限位，进而限制提拉绳在旋转提拉过程中产生的晃动，保证晶体生长质量。
[0004]本技术还提出一种具有上述单晶提拉装置的晶体生长设备。
[0005]根据本技术第一方面的单晶提拉装置，所述单晶提拉装置设于副室且包括：提拉机构，所述提拉机构包括提拉绳和提拉驱动件，所述提拉绳的一端用于连接籽晶，所述提拉驱动件连接在所述提拉绳的另一端；限位机构，所述限位机构包括限位件和限位驱动件，所述限位驱动件与所述限位件相连用于驱动所述限位件沿上下方向移动，所述限位件与所述提拉绳相连用于限制所述提拉绳在水平方向上的位移，所述限位件包括：限位板，所述限位板与所述副室内壁抵接，所述限位板形成有沿上下方向贯通所述限位板的限位槽，所述提拉绳沿上下可活动地配合于所述限位槽内，且所述限位板相对于所述提拉绳沿上下可移动。
[0006]根据本技术的单晶提拉装置，通过设置提拉机构，可以完成晶体的生长；同时设置的限位机构，可以在不影响提拉绳旋转提拉的情况下，在不同位置对提拉绳进行水平方向的限位，进而限制提拉绳在旋转提拉过程中产生的晃动，保证晶体生长质量。
[0007]根据本技术的一些实施例，所述限位件还包括：第一滚动体，所述第一滚动体可滚动地设于所述限位槽内，所述第一滚动体包括两个，两个所述第一滚动体在水平方向上并排布置，所述提拉绳与两个所述第一滚动体抵接。
[0008]根据本技术的一些实施例，所述限位板包括第一支撑部，所述第一支撑部沿水平方向延伸，所述第一支撑部形成所述限位槽，所述第一支撑部的两端分别与所述副室的内壁滑动配合。
[0009]根据本技术的一些实施例，所述限位板还包括：第二支撑部，所述第二支撑部
的一端与所述第一支撑部相连，所述第二支撑部的另一端远离所述第一支撑部朝向所述副室的内壁延伸并与所述副室的内壁滑动配合。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述限位件还包括：第二滚动体，所述第二滚动体设在所述第一支撑部的两端，所述第一支撑部通过所述第二滚动体与所述副室的内壁抵接；和/或，第三滚动体，所述第三滚动体设在所述第二支撑部的所述另一端，所述第二支撑部通过所述第三滚动体与所述副室的内壁抵接。
[0011]根据本技术的一些实施例，所述限位机构包括两个所述限位件，两个所述限位件分别为第一限位件和第二限位件，所述限位机构具有第一限位状态和第二限位状态，在所述第一限位状态，所述第一限位件和所述第二限位件在水平方向上平齐，所述第一限位件的所述限位槽与所述第二限位件的所述限位槽围合出限位孔，所述提拉绳穿设于所述限位孔内，在所述第二限位状态，两个所述限位件在上下方向上间隔开。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述第一限位件的所述限位板上设有第一对接部，所述第二限位件的所述限位板上设有第二对接部，所述第一对接部和所述第二对接部均沿所述限位板的长度方向延伸，在所述第一限位状态，所述第一对接部与所述第二对接部在上下方向上层叠并贴合。
[0013]根据本技术的一些实施例，所述限位机构还包括牵引绳和绕线轮，所述牵引绳绕设于所述绕线轮上，所述限位驱动件与所述绕线轮相连用于驱动所述绕线轮转动，其中，所述牵引绳的一端与所述第一限位件相连且另一端与所述第二限位件相连，所述限位驱动件驱动所述第一限位件和所述第二限位件朝向相反的方向移动；或所述牵引绳、所述绕线轮和所述限位驱动件均包括与所述限位件一一对应的两个。
[0014]根据本技术的一些实施例，还包括：炉盖，所述炉盖封盖在所述副室的顶部，所述提拉驱动件和所述限位驱动件均设于所述炉盖的上侧，所述炉盖上设有凹槽，所述凹槽内设有沿上下方向贯通所述炉盖的第一绳孔和第二绳孔，所述提拉绳穿设于所述第一绳孔，所述牵引绳穿设于所述第二绳孔。
[0015]根据本技术第二方面的晶体生长设备，包括副室和根据本技术第一方面所述的单晶提拉装置，所述单晶提拉装置设于所述副室。
[0016]根据本技术的晶体生长设备，通过设置上述第一方面的单晶提拉装置，从而提高了晶体生长设备的整体性能。
[0017]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0018]图1是根据本技术实施例的晶体生长设备的剖视图，其中，限位机构处于第一限位状态；
[0019]图2是根据本技术实施例的晶体生长设备的剖视图，其中，限位机构处于第二限位状态；
[0020]图3是根据图1所示的限位件的俯视图；
[0021]图4是根据图2所示的限位件的俯视图；
[0022]图5是根据图4所示的第一支撑部与第一连接部和第二连接部的连接示意图；
[0023]图6是根据图1所示的炉盖的示意图。
[0024]附图标记：
[0025]1000、晶体生长设备；
[0026]100、单晶提拉装置；
[0027]10、提拉机构；11、提拉绳；12、提拉驱动件；13、籽晶夹；
[0028]20、限位机构；21、限位件；21a、第一限位件；21b、第二限位件；211、限位板；2111、第一支撑部；2112、第二支撑部；212、第一滚动体；213、第二滚动体；214、第三滚动体；215、第一对接部；216、第二对接部；22、限位驱动件；23、牵引绳；
[0029]30、炉盖；31、凹槽；32、第一绳孔；33、第二绳孔；
[0030]200、副室；
[0031]300、主室；301、坩埚；302、加热器；303、保温件；
[0032]2000、籽晶；
[0033]3000、熔汤；
[0034]4000、晶体。
具体实施方式
[0035]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶提拉装置，其特征在于，所述单晶提拉装置设于副室且包括：提拉机构，所述提拉机构包括提拉绳和提拉驱动件，所述提拉绳的一端用于连接籽晶，所述提拉驱动件连接在所述提拉绳的另一端；限位机构，所述限位机构包括限位件和限位驱动件，所述限位驱动件与所述限位件相连用于驱动所述限位件沿上下方向移动，所述限位件与所述提拉绳相连用于限制所述提拉绳在水平方向上的位移，所述限位件包括：限位板，所述限位板与所述副室内壁抵接，所述限位板形成有沿上下方向贯通所述限位板的限位槽，所述提拉绳配合于所述限位槽内，且所述限位板相对于所述提拉绳沿上下可移动。2.根据权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，所述限位件还包括：第一滚动体，所述第一滚动体可滚动地设于所述限位槽内，所述第一滚动体包括两个，两个所述第一滚动体在水平方向上并排布置，所述提拉绳与两个所述第一滚动体抵接。3.根据权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，所述限位板包括第一支撑部，所述第一支撑部沿水平方向延伸，所述第一支撑部形成所述限位槽，所述第一支撑部的两端分别与所述副室的内壁滑动配合。4.根据权利要求3所述的单晶提拉装置，其特征在于，所述限位板还包括：第二支撑部，所述第二支撑部的一端与所述第一支撑部相连，所述第二支撑部的另一端远离所述第一支撑部朝向所述副室的内壁延伸并与所述副室的内壁滑动配合。5.根据权利要求4所述的单晶提拉装置，其特征在于，所述限位件还包括：第二滚动体，所述第二滚动体设在所述第一支撑部的两端，所述第一支撑部通过所述第二滚动体与所述副室的内壁抵接；和/或，第三滚动体，所述第三滚动体设在所述第二支撑部的所述另一端，所述第二支撑部通过所述第三滚动体与所述副室的内壁抵接。6.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊宏，
申请(专利权)人：中环领先徐州半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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