【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及半导体结构
[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。
技术介绍
[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。动态随机存储器由多个重复的存储单元组成，每个存储单元包括电容结构和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容结构相连。字线上的电压信号可以控制晶体管的打开或关闭，进而，通过位线读取存储在电容结构中的数据信息，或者，通过位线将数据信息写入到电容结构中进行存储。
[0003]相关技术中，在制备半导体结构的过程中，先制备字线，得到字线结构，进而，在字线结构上沉积多个层，并通过对该多个层进行多次刻蚀形成位线。而对该多个层进行多次刻蚀，会导致形成的位线上窄下宽，降低半导体结构的性能。
技术实现思路
[0004]根据一些实施例，本申请第一方面提供一种半导体结构的制备方法，以提高半导体结...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；刻蚀所述基底，以在所述基底中形成多个沿第一方向延伸的位线凹槽；在多个所述位线凹槽中依次形成第一隔离层、位线金属线层、位线导电连接层和第一绝缘层，得到位线结构；刻蚀形成所述位线结构的所述基底，得到多个间隔设置的有源区结构和第一凹槽；其中，所述位线结构分别与多个有源区结构相交；在所述第一凹槽中填充第二隔离层，得到第一结构；刻蚀所述第一结构，以在所述第一结构中形成沿所述第一方向的垂直方向延伸的多个字线凹槽；在多个所述字线凹槽中依次形成第三隔离层、字线导电连接层和第二绝缘层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一隔离层包括第一子隔离层和第二子隔离层；所述在多个所述位线凹槽中依次形成第一隔离层、位线金属线层、位线导电连接层和第一绝缘层，得到位线结构，包括：在多个所述位线凹槽的底部沉积第一子隔离层；在形成所述第一子隔离层的多个所述位线凹槽的底部和侧壁沉积第二子隔离层；在形成所述第二子隔离层的多个所述位线凹槽的底部和侧壁沉积阻挡层；在形成所述阻挡层的多个所述位线凹槽中沉积位线金属线材料层；回刻所述阻挡层和所述位线金属线材料层，得到位线金属线层；在形成所述位线金属线层的多个所述位线凹槽中沉积位线导电连接层；在形成所述位线导电连接层的多个所述位线凹槽中沉积第一绝缘层，得到位线结构。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述字线凹槽包括第一字线凹槽、第二字线凹槽和第三字线凹槽；所述刻蚀所述第一结构，以在所述第一结构中形成沿所述第一方向的垂直方向延伸的多个字线凹槽，包括：刻蚀所述有源区结构，形成第一字线凹槽；刻蚀所述第二隔离层，形成第二字线凹槽；刻蚀所述位线结构，形成第三字线凹槽；所述第一字线凹槽的底面低于所述第二字线凹槽和所述第三字线凹槽的底面。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三字线凹槽的底面与所述位线金属层的上表面平齐或高于所述位线金属层的上表面；所述字线导电连接层的上表面高于所述第二字线凹槽和所述第三字线凹槽的底面。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一结构，以在所述第一结构中形成沿所述第一方向的垂直方向延伸的多个字线凹槽，包括：刻蚀所述第一结构，以在所述第一结构中形成沿所述第一方向的垂直方向延伸的多个第二凹槽，所述第二凹槽的底面与所述位线导电连接层的下表面平齐；刻蚀所述第二凹槽中所述有源区结构对应的部分至第一位置，以在所述第一结构中形成多个字线凹槽，所述有源区结构对应的字线凹槽的底面低于所述第二隔离层和所述位线
结构对应的字线凹槽的底面。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述基底，以在所述基底中形成多个沿第一方向延伸的位线凹槽，包括：在所述基底上形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括沿第一方向延伸的多个第一掩膜条，多个所述第一掩膜条之间相互平行；刻蚀被所述第一掩膜层覆盖的所述基底，以在所述基底中形成多个沿所述第一方向延伸的位线凹槽。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀形成所述位...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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