半导体结构及掩膜板结构制造技术

本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及掩膜板结构，用以解决相关技术中电容插塞与有源区之间的接触面积缩小，影响半导体结构性能的问题。衬底内具有有源区和多个平行且间隔的设置在衬底内的位线结构，多个字线结构平行且间隔的设置在衬底上，字线结构与位线结构相交，并围设成在衬底上阵列排布的多个网格，电容插塞位于网格内，电容插塞在衬底上的投影覆盖部分有源区，在平行于衬底表面的截面内，电容插塞的截面形状为弓形。电容插塞与位线结构之间具有一定距离的情况下，相比于矩形截面的电容插塞，弓形截面的电容插塞与有源区的接触面积增大，有利于提高半导体结构性能。高半导体结构性能。高半导体结构性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及掩膜板结构


[0001]本申请实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及掩膜板结构。

技术介绍

[0002]随着存储设备技术的逐渐发展，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)以其较高的密度以及较快的读写速度逐渐应用在各种电子设备中。动态随机存储器由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容结构和晶体管结构，晶体管结构的栅极与字线相连、晶体管结构的一端与位线相连、晶体管结构的另一端与电容结构相连。
[0003]相关技术中，晶体管结构设置在衬底内，电容结构通过电容插塞与晶体管的一端相连，从而达到通过开关晶体管读写电容结构中的数据信息的目的。电容插塞在衬底上的投影形状通常为矩形。然而，随着集成电路的集成度越来越高，电容插塞尺寸也随之缩小，进而导致电容插塞与有源区之间的接触面积缩小，影响半导体结构的性能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种半导体结构及掩膜板结构，可以解决相关技术中电容插塞与有源区之间的接触面积缩小，影响半导体结构性能的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有有源区和字线结构，多个所述字线结构平行且间隔的设置在所述衬底内；位线结构，多个所述位线结构平行且间隔的设置在所述衬底上，所述字线结构与所述位线结构相交，并围设成在所述衬底上阵列排布的多个网格；电容插塞，位于所述网格内，所述电容插塞在所述衬底上的投影覆盖部分所述有源区，在平行于所述衬底表面的截面内，所述电容插塞的截面形状为弓形。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述网格包括位于所述位线结构一侧的第一网格和位于所述位线结构另一侧的第二网格，所述电容插塞包括位于所述第一网格内的第一插塞和位于所述第二网格内的第二插塞；在平行于所述衬底表面的截面内，所述第一插塞的截面具有第一圆弧，所述第二插塞的截面具有第二圆弧，所述第一圆弧和所述第二圆弧位于同一圆内。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一圆弧与所述第二圆弧的圆心位于所述位线结构的中心线上。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，任意相邻的两个所述位线结构的中心线之间沿平行于所述衬底表面的方向具有第一距离，任意相邻的两个所述字线结构的中心线之间沿平行于所述衬底表面的方向具有第二距离；所述第一圆弧与所述第二圆弧的半径大于所述第一距离的一半，所述第一圆弧与所述第二圆弧的半径小于所述第一距离和所述第二距离的平方和的正平方根的一半。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一插塞的截面具有第一割线，所述第二插塞的截面具有第二割线，所述第一割线和所述第二割线与所述位线结构的延伸方向平行。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一割线与所述第二割线在所述衬底上的投影均覆盖部分所述字线结构。7.一种掩膜板结构，其特征在于，所述掩膜板包括掩膜组件，掩膜组件上具有掩膜图形，所述掩膜组件用于覆盖在半导体结构上，以便通过所述掩膜组件在所述半导体结构上形成电容插塞；所述半导体结构包括衬底以及多个平行且间隔的设置在所述衬底上的字线结构，所述衬底内具有有源区和位线结构，多个所述位线结构平行且间隔的设置在所述衬底内，所述字线结构与所述位线结构相交，并围设成在所述衬底上阵列排布的多个网格；所述电容插塞位于所述网格内，所述电容插塞在所述衬底上的投影覆盖部分所述有源区，在平行于所述衬底表面的截面内，所述电容插塞的截面形状为弓形。8.根据权利要求7所述的掩膜板结构，其特征在于，所述掩膜组件包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板上具有多个阵列设置的第一孔组，所述第一孔组包括相对设置的第一蚀刻孔和第二蚀刻孔，所述第一蚀刻孔和第二蚀刻孔的形状均为弓形，所述第一蚀刻孔和所述第二蚀刻孔用于形成所述位线结构两侧的所述电容插塞；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：