半导体存储器装置及其形成方法制造方法及图纸

本申请案涉及半导体存储器装置及其形成方法。方法包含：在包含存储器单元区和阵列边缘区的衬底上方形成多个第一线形掩模图案；在所述多个第一线形掩模图案上方形成多个第二线形掩模图案；从所述存储器单元区中的所述多个第一线形掩模图案移除第一部分以在所述存储器单元区上方留下多个岛状掩模图案；从所述阵列边缘区中的所述多个第一线形掩模图案移除第二部分以在所述阵列边缘区上方留下提供孔的掩模图案；形成包含提供于部分上的多个孔的掩模图案；以及通过包含所述多个孔的所述掩模图案在所述阵列边缘区中形成多个接触孔以提供连接到多个字线的多个接触电极。提供连接到多个字线的多个接触电极。提供连接到多个字线的多个接触电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置及其形成方法


[0001]本申请案涉及半导体存储器装置，且特定来说涉及半导体存储器装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]近年来，举例来说，在例如动态随机存取存储器(以下称为DRAM)的半导体存储器装置中，正在追求进一步的小型化以增加数据存储容量。DRAM字线跨越存储器单元区和邻近于存储器单元区的阵列边缘区延伸。字线接触件放置于阵列边缘区中的字线上。

技术实现思路

[0003]根据本申请案的一方面，提供一种方法。所述方法包括：在包含存储器单元区和阵列边缘区的衬底上方形成多个第一线形掩模图案，所述多个第一线形掩模图案在第一方向上延伸；在所述多个第一线形掩模图案上方形成多个第二线形掩模图案，所述多个第二线形掩模图案在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；从所述存储器单元区中的所述多个第一线形掩模图案移除不与所述多个第二线形掩模图案重叠的第一部分以在所述存储器单元区上方留下多个岛状掩模图案；从所述阵列边缘区中的所述多个第一线形掩模图案移除与所述多个第二线形掩模图案重叠的第二部分以在所述阵列边缘区上方留下提供孔的掩模图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：在包含存储器单元区和阵列边缘区的衬底上方形成多个第一线形掩模图案，所述多个第一线形掩模图案在第一方向上延伸；在所述多个第一线形掩模图案上方形成多个第二线形掩模图案，所述多个第二线形掩模图案在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；从所述存储器单元区中的所述多个第一线形掩模图案移除不与所述多个第二线形掩模图案重叠的第一部分以在所述存储器单元区上方留下多个岛状掩模图案；从所述阵列边缘区中的所述多个第一线形掩模图案移除与所述多个第二线形掩模图案重叠的第二部分以在所述阵列边缘区上方留下提供孔的掩模图案；形成包含多个孔的掩模图案，所述多个孔提供于所述阵列边缘区上方的所述多个第一线形掩模图案的不与所述多个第二线形掩模图案重叠的部分上；以及通过包含所述多个孔的所述掩模图案在所述阵列边缘区中形成多个接触孔以提供连接到多个字线的多个接触电极。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元区中的凹部的底部的高度位置和所述阵列边缘区中的所述多个字线的每一上部表面的高度位置大体上相同。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个接触孔具有倒锥形形状。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述孔被定义为第一孔，且其中所述接触电极被定义为下部接触电极，所述方法进一步包括：在所述下部接触电极上方覆盖绝缘膜；蚀刻所述绝缘膜的多个部分以制作使所述下部接触电极的上部表面暴露的第二孔；用第二导电材料填充所述第二孔；回蚀所述第二导电材料以将所述第二导电材料留在所述第二孔中充当上部接触电极。5.根据权利要求4所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛田启介，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：