半导体结构及其制造方法技术

本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一沟槽；其中，所述第一沟槽贯穿至少两个晶体管的导电沟道；至少部分所述导电沟道位于所述第一沟槽的底部；相邻的所述导电沟道之间具有氧化层；所述导电沟道在所述第一沟槽内相对于所述氧化层具有凸起结构；通过在所述第一沟槽底部进行刻蚀，调整每个所述导电沟道的所述凸起结构在所述第一沟槽底部的形状，使所述凸起结构具有至少两个凸出部；在所述第一沟槽内形成栅极结构。成栅极结构。成栅极结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，涉及但不限于一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]晶体管在电子设备中被广泛地用作开关器件或驱动装置。例如，晶体管可以用于动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)中，用于控制每一存储单元中的电容，并且由多个晶体管组成的晶体管阵列可以用于半导体存储器件中。
[0003]相关技术中，晶体管的字线(Word Line，WL)在通电时，可以使晶体管两端导电，字线开启的快慢响应晶体管的工作效率，从而进一步影响了半导体存储器件的工作效率。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法，所述方法包括：
[0006]在半导体衬底上形成第一沟槽；其中，所述第一沟槽贯穿至少两个晶体管的导电沟道；至少部分所述导电沟道位于所述第一沟槽的底部；相邻的所述导电沟道之间具有氧化层；所述导电沟道在所述第一沟槽内相对于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一沟槽；其中，所述第一沟槽贯穿至少两个晶体管的导电沟道；至少部分所述导电沟道位于所述第一沟槽的底部；相邻的所述导电沟道之间具有氧化层；所述导电沟道在所述第一沟槽内相对于所述氧化层具有凸起结构；通过在所述第一沟槽底部进行刻蚀，调整每个所述导电沟道的所述凸起结构在所述第一沟槽底部的形状，使所述凸起结构具有至少两个凸出部；在所述第一沟槽内形成栅极结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过在所述第一沟槽底部进行刻蚀，调整每个所述导电沟道的所述凸起结构在所述第一沟槽底部的形状，使所述凸起结构具有至少两个凸出部，包括：在所述第一沟槽底部形成第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层的厚度小于或等于所述凸起结构相对于所述氧化层凸起的高度；刻蚀所述凸起结构和所述第一绝缘层，在所述凸起结构的中心形成凹陷区域；刻蚀具有所述凹陷区域的凸起结构和所述氧化层，形成两个所述凸出部。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽底部形成第一绝缘层，包括：在所述第一沟槽内填充绝缘材料；对所述绝缘材料进行平整化处理，形成所述第一绝缘层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述凸起结构和所述第一绝缘层，在所述凸起结构的中心形成凹陷区域，包括：从所述凸起结构顶部进行刻蚀，形成低于所述第一绝缘层表面的所述凹陷区域；所述方法还包括：去除所述第一绝缘层。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述凹陷结构和所述氧化层，形成两个所述凸出部，包括：以预定刻蚀速率，同步地刻蚀所述凹陷区域和所述氧化层，在所述凸起结构与所述氧化层相邻的两侧形成两个所述凸出部。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅极氧化层和栅极导电层；所述在所述第一沟槽内形成栅极结构，包括：在第一沟槽内形成覆盖所述凸起结构的所述栅极氧化层；在覆盖有所述栅极氧化层的所述第一沟槽内，形成所述栅极导电层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述栅极导电层包括：第一导电层和第二导电层；所述在覆盖有所述栅极氧化层的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：