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本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一沟槽；其中，所述第一沟槽贯穿至少两个晶体管的导电沟道；至少部分所述导电沟道位于所述第一沟槽的底部；相邻的所述导电沟道之间具有氧化层；所述导电沟道在所述第一沟槽内...
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