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本申请案涉及半导体存储器装置及其形成方法。方法包含：在包含存储器单元区和阵列边缘区的衬底上方形成多个第一线形掩模图案；在所述多个第一线形掩模图案上方形成多个第二线形掩模图案；从所述存储器单元区中的所述多个第一线形掩模图案移除第一部分以在所述...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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