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本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及掩膜板结构，用以解决相关技术中电容插塞与有源区之间的接触面积缩小，影响半导体结构性能的问题。衬底内具有有源区和多个平行且间隔的设置在衬底内的位线结构，多个字线结构平行且间隔的设置在...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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