半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种半导体装置及其形成方法，包括：基板、一对源极/漏极区、含金属层及栅极结构。基板具有沟槽。源极/漏极区设置于沟槽两侧的基板中。含金属层设置于沟槽下方，含金属层与沟槽的相对侧壁上的基板共同构成半导体装置的沟道区。栅极结构设置于沟槽中。栅极结构包括：栅极介电层，设置沟槽的相对侧壁上、缓冲层，设置于含金属层上、以及栅极导电层，设置于缓冲层上且填入沟槽。本发明专利技术实施例可以提高驱动电流以改善半导体装置的性能。例可以提高驱动电流以改善半导体装置的性能。例可以提高驱动电流以改善半导体装置的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(DRAM)由多个存储单元所构成，其中每一个存储单元大致上是由晶体管及电容器所构成，且存储单元通常借由字线与位线彼此电连接。为了提升动态随机存取存储器的性能及集成度，已发展出具有埋入式字线(buried word line)的动态随机存取存储器，以实现电子产品的轻、薄、短、小及更好的性能。
[0003]然而，持续地提高半导体装置的集成度可能导致难以提升动态随机存取存储器的性能，或者使其性能变得难以维持，甚至是下降。虽然现有的动态随机存取存储器已大致合乎需求，但并非在所有方面都令人满意。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种半导体装置，包括：基板、一对源极/漏极区、含金属层、栅极结构、栅极介电层、缓冲层及栅极导电层。基板具有沟槽。源极/漏极区设置于沟槽两侧的基板中。含金属层设置于沟槽下方，含金属层与沟槽的相对侧壁上的基板共同构成半导体装置的沟道区。栅极结构设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板，具有一沟槽；一对源极/漏极区，设置于该沟槽两侧的该基板中；一含金属层，设置于该沟槽下方，该含金属层与该沟槽的相对侧壁上的该基板共同构成该半导体装置的一沟道区；以及一栅极结构，设置于该沟槽中，该栅极结构包括：一栅极介电层，设置于该沟槽的相对侧壁上；一缓冲层，设置于该含金属层上；及一栅极导电层，设置于该缓冲层上且填入该沟槽。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该含金属层横向延伸超过该沟槽的侧壁。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该含金属层为U型且围绕部分的该栅极导电层。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该含金属层包括一金属硅化物层。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该金属硅化物层包括：二硅化钴层、硅化镍层、硅化钛层、或前述的组合。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：一第一连接件及一第二连接件，分别设置于该对源极/漏极区上；一隔离结构，设置于该第一连接件与该第二连接件之间；一位线，设置于该第一连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊霖，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：