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本发明实施例公开了一种半导体装置及其形成方法，包括：基板、一对源极/漏极区、含金属层及栅极结构。基板具有沟槽。源极/漏极区设置于沟槽两侧的基板中。含金属层设置于沟槽下方，含金属层与沟槽的相对侧壁上的基板共同构成半导体装置的沟道区。栅极结构设...
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