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本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，方法包括：提供基底；刻蚀基底，以在基底中形成多个沿第一方向延伸的位线凹槽；在多个位线凹槽中依次形成第一隔离层、位线金属线层、位线导电连接层和第一绝缘层，得到位线结构...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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