半导体结构及半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成半导体柱；在半导体柱的中部侧壁上形成栅极；在环绕有栅极的半导体柱的上部和下部进行与半导体柱反型的掺杂注入，以形成源区和漏区。由于先形成了环绕半导体柱的栅极，然后进行掺杂注入形成源区和漏区，从而可以保证掺杂注入获得精确的位置，以此提高半导体结构的制作精度，从而改善半导体结构的使用性能。从而改善半导体结构的使用性能。从而改善半导体结构的使用性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制作工艺中集成度的不断增加，提升存储器的集成密度已成为一种趋势。
[0003]动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)是一种半导体存储器，其包括晶体管，相关技术中常用的晶体管为平面晶体结构，而垂直结构晶体管由于其工艺难度较大使用的范围相对较小。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，以改善半导体结构的性能。
[0005]根据本专利技术的第一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：
[0006]提供衬底；
[0007]在衬底上形成半导体柱；
[0008]在半导体柱的中部侧壁上形成栅极；
[0009]在形成有栅极的半导体柱的上部和下部进行与半导体柱反型的掺杂注入，以形成源区和漏区。
[0010]在本专利技术的一个实施例中，半导体柱为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成半导体柱；在所述半导体柱的中部侧壁上形成栅极；在形成有所述栅极的所述半导体柱的上部和下部进行与所述半导体柱反型的掺杂注入，以形成源区和漏区。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体柱为p型半导体材料，在所述半导体柱的上部和下部进行n型掺杂注入；或，所述半导体柱为n型半导体材料，在所述半导体柱的上部和下部进行p型掺杂注入。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用等离子掺杂对所述半导体柱的上部和下部进行掺杂。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：采用等离子掺杂对所述半导体柱的上部和下部进行掺杂之后，进行退火处理。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅极为全环绕式栅极。6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述衬底内形成有位线，所述半导体柱位于所述位线上，所述半导体结构的制作方法，还包括，在形成所述半导体柱之后，形成所述栅极之前，在所述衬底内形成所述位线的位线金属硅化物。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述位线金属硅化物之前，在所述半导体柱的侧壁上形成侧壁保护层。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述侧壁保护层之后，在所述衬底内沉积金属材料并退火，以形成所述位线金属硅化物。9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，分别沿第一方向和第二方向在所述衬底上形成第一沟槽和第二沟槽，以形成多个独立设置的所述半导体柱，所述衬底内形成有沿所述第一方向延伸的位线，所述半导体柱位于所述位线上；其中，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩清华，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：