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本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成半导体柱；在半导体柱的中部侧壁上形成栅极；在环绕有栅极的半导体柱的上部和下部进行与半导体柱反型的掺杂注入，以形成源区和漏...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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