具有互连衬垫的集成电路制造技术

本文描述的是具有带衬垫的互连的集成电路器件。互连衬垫可以帮助保持半导体器件(例如，晶体管)和向和从半导体器件传导电流的互连之间的导电性。在一些实施例中，利用钨衬垫对金属互连进行衬托。对于使用特定沟道材料，例如氧化铟镓锌的半导体器件，钨衬垫可能特别有用。有用。有用。

【技术实现步骤摘要】
具有互连衬垫的集成电路


[0001]本公开总体上涉及集成电路(IC)结构和器件的领域，并且更具体而言，涉及并入这种IC结构和器件中的互连材料。

技术介绍

[0002]在IC器件中，导电互连在晶体管和其他电路元件之间提供导电路径。例如，晶体管通常具有源极触点、漏极触点和栅极触点，其每者都耦接到从或向IC器件的另一部分传递信号的互连的相应部分。通常使用铜来形成互连。然而，铜往往会扩散到周围材料中，使得铜互连通常被诸如钛或钽的阻挡材料围绕。
附图说明
[0003]通过以下具体实施方式，结合附图，将容易理解实施例。为了有助于这种描述，类似的附图标记指示类似的结构元件。在附图的图中通过举例而非限制的方式示出了各实施例。
[0004]图1是截面图，示出了根据本公开一些实施例的一晶体管一电容器(1T
‑
1C)存储器单元的示例性布置，其中，带衬垫的互连耦接到该存储器单元。
[0005]图2是根据本公开一些实施例，沿图1中所示的示例性布置的平面AA
’
的截面图。
[0006]图3是根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)器件，包括：晶体管，所述晶体管包括沟道材料；耦接到所述沟道材料的源极或漏极(S/D)触点；电耦接到所述S/D触点的金属互连；以及位于所述S/D触点和所述金属互连之间的衬垫，所述衬垫包括钨。2.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述沟道材料包括形成于其中的第一S/D区和第二S/D区，所述S/D触点耦接到所述第一S/D区。3.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述衬垫包括与所述S/D触点相邻的第一层以及与所述金属互连相邻的第二层，其中，所述第一层包括钨。4.根据权利要求3所述的IC器件，其中，所述第二层包括钽。5.根据权利要求3所述的IC器件，其中，所述第二层包括钽和氮。6.根据权利要求3所述的IC器件，其中，所述衬垫还包括位于所述第一层和所述第二层之间的第三层。7.根据权利要求6所述的IC器件，其中，所述第二层包括钽，并且所述第三层包括钽和氮。8.根据权利要求6所述的IC器件，其中，所述第二层包括钽和氮，并且所述第三层包括钽。9.根据权利要求1
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8中的任一项所述的IC器件，其中，所述沟道材料包括氧。10.根据权利要求1
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9中的任一项所述的IC器件，其中，所述沟道材料包括铟。11.根据权利要求10所述的IC器件，其中，所述沟道材料还包括锌。12.根据权利要求11所述的IC器件，其中，所述沟道材料还包括镓。13.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述沟道材料包括铟、镓、锌和氧。14.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述衬垫具有0.5nm和10nm之间的厚度。15.一种集成电路(IC)器件，包括：晶体管，所述晶体管包括沟道材料；耦接到所述沟道材料的第一源极或漏极(S/D)触点；耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：