一种反射率光学测量装置及半导体成膜设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种反射率光学测量装置及半导体成膜设备，装置包括：面光源、光学组件和光探测模块；面光源用于发射入射探测光；光学组件位于面光源和光学视窗之间，用于使入射探测光经过光学组件后通过光学视窗投射至待测对象的被测面上，并使被被测面反射且通过光学视窗射出的出射探测光被光探测模块接收；面光源通过光学组件形成面光源的像，面光源的像的尺寸/面积大于等于光学视窗的尺寸/面积。本实用新型专利技术采用面光源发射非平行光作为入射探测光，可提供反射率的有效测量，并能使光路调整变得较为简单，且测量装置可不受安装位置的过多限制，从而达到简化光路，增加可靠性的目的，可用于对产生较大翘曲的外延片的测量，拓宽了应用场景。拓宽了应用场景。拓宽了应用场景。

【技术实现步骤摘要】
一种反射率光学测量装置及半导体成膜设备


[0001]本技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种反射率光学测量装置及半导体成膜设备。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造过程中，外延片的生长温度是薄膜生长控制的关键参数。由于薄膜生长反应腔的反应条件严格，必须依赖于非接触式测温法对外延片生长温度进行测量。
[0003]现有技术中应用的非接触式测温法，是采用经过热辐射系数修正的高温测量方法，通过测量一定波段的辐射光和相应外延片表面的发射率，计算外延片表面的温度。因此需要通过光学测量系统对反射率进行测量而获得发射率的信息。
[0004]通常，在反应腔的顶部设有光学视窗，光学测量系统通过光学视窗向外延片发出探测光束。探测光束在外延片表面反射后形成的反射光束由探测器探测，获得反射率。计算控制单元根据探测到的反射光束的强度，以及已知的入射光的强度，可以计算得出外延片表面发生反射处的反射率R，并且根据ε＝1－R公式，计算得出外延片的发射率ε，从而可根据外延片表面的发射率ε计算出外延片表面的温度。
[0005]由于外延反应腔腔体具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反射率光学测量装置，其特征在于，包括：设于光学视窗上方的面光源、光学组件和光探测模块；所述面光源用于发射入射探测光，所述入射探测光为非平行光；所述光学组件位于所述面光源和所述光学视窗之间，用于使所述入射探测光经过所述光学组件后通过所述光学视窗投射至待测对象的被测面上，并使被所述被测面反射且通过所述光学视窗射出的出射探测光被所述光探测模块接收；其中，所述面光源通过所述光学组件形成所述面光源的像，所述面光源的像的尺寸/面积大于等于所述光学视窗的尺寸/面积。2.根据权利要求1所述的反射率光学测量装置，其特征在于，所述面光源的像位于所述光学视窗和所述光学组件之间，所述面光源的像构成所述入射探测光的发光面。3.根据权利要求2所述的反射率光学测量装置，其特征在于，所述发光面上每一处的入射探测光在所述发光面的法向的立体角内的强度分布均匀，且所述发光面上各处在所述立体角内的强度分布一致，定义所述立体角在任意方向上张开的角度的一半为β，所述β＞0。4.根据权利要求3所述的反射率光学测量装置，其特征在于，所述β大于等于所述光学视窗的中心在所述待测对象所在平面上的投影与所述光学视窗之间形成的锥体的半顶角α。5.根据权利要求4所述的反射率光学测量装置，其特征在于，所述β/α的范围为1～2。6.根据权利要求2所述的反射率光学测量装置，其特征在于，所述面光源的像位于所述光学视窗所在位置。7.根据权利要求1所述的反射率光学测量装置，其特征在于，所述面光源的像在水平方向上的尺寸A与...

【专利技术属性】
技术研发人员：马法君，吴怡，刘明军，刘雷，郑冬，周慧娟，
申请(专利权)人：楚赟科技绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：