【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体处理用支架装置和半导体处理设备。
技术介绍
1、半导体加工领域常用的诸如石墨盘由于使用需求大，使用频次高以及成本高需要进行清洁处理以供重复利用。石墨盘由于长期暴露在沉积工艺环境中，表面沉积物如不进行及时处理会影响后续的成膜质量。通常使用氯气等反应性气体作为和石墨盘相接触的反应介质对石墨盘进行烘烤，该反应气体在烘烤温度以及合适的烘烤压力下能够与石墨盘表面的沉积物进行反应，使石墨盘表面的沉积物剥离。
2、由于石墨盘表面沉积物绝大多数分布在承载面以及侧面，而且正是这部分区域的沉积物在沉积工艺的温度和压力下一旦剥离，很容易在气体流场的作用下落在晶圆表面从而影响成膜质量。现有技术的石墨盘烘烤架通常是沿水平方向设置系列卡槽，各石墨盘卡在卡槽中使其承载面(即用于承载晶圆的一面)垂直于水平面。上述卡槽卡设的方式遮挡了石墨盘的部分顶面和部分侧面，使得沉积物去除不完全。
3、另外，对于晶圆沉积而言，由于晶圆底面和下方的石墨盘贴合，沉积发生在顶面和侧面。当晶圆顶面沉积薄膜质量不符合要求，如能通过反应性介质，例如反应气体与薄膜反应使薄膜剥离晶圆，就能实现晶圆的重复利用。
4、因此，有必要开发一种新型的半导体处理用支架装置以解决现有技术存在的上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体处理用支架装置及具有该半导体处理用支架装置的半导体处理设备，提高装载利用率，并在稳定支撑的同时能提高对待处理物表面的处理质量和处理
2、一方面，本专利技术提供一种半导体处理用支架装置，包括：
3、底座，顶部设有凹陷结构；
4、承载层，包括若干承载部和一一对应可拆卸连接各所述承载部底部的支撑柱；
5、各所述支撑柱设于所述底座顶面并围绕所述凹陷结构间隔排布；
6、各所述承载部围成有与所述凹陷结构内相通的中空区域，各所述承载部之间具有间距；
7、各所述承载部包括承载面，各所述承载面的高度相同并围绕所述凹陷结构轴线间隔排布以通过与待处理物边部的部分底面之间的面接触承托所述待处理物。
8、另一方面，本专利技术还提供了一种半导体处理设备，包括处理腔室，所述处理腔室内容纳有所述半导体处理用支架装置，使所述半导体处理用支架装置沿所述处理腔室的轴向延伸。
9、本专利技术所述半导体处理用支架装置和所述半导体处理设备的有益效果均在于：底座顶部设有凹陷结构能够承载更多待处理物以提高装载利用率。承载层包括若干承载部和一一对应可拆卸连接各所述承载部底部的支撑柱，各所述承载部的承载面的高度相同并围绕凹陷结构中心轴线排布能够提供稳定支撑且通过非连续的面支撑方式能够使待处理物的绝大部分表面特别是顶面和侧面充分露出，各所述支撑柱设于所述底座顶面并围绕所述凹陷结构间隔排布，各所述承载部围成有与所述凹陷结构内相通的中空区域，各所述承载部之间具有间距，使得各载具之间的空间和中空区域是相通的，有利于气态处理介质的流通，从而有利于对露出表面进行高质量处理并提高处理效率。
10、可选的，所述凹陷结构内悬设有架体和/或栅格承载结构。
11、可选的，所述架体与所述凹陷结构内壁之间设有至少一栅格承载结构。
12、可选的，所述底座侧壁开设有与所述凹陷结构相通的至少一侧壁镂空结构。
13、可选的，所述承载层数量至少为2，沿所述底座轴向相邻的所述承载部之间通过一所述支撑柱可拆卸连接，各所述载具中的所述支撑柱相较于对应可拆卸连接的所述承载部上的所述承载面而言沿径向远离所述中空区域。
14、可选的，同一所述承载层中，各所述承载面的高度相同。
15、可选的，不同所述承载层的位于同一侧的至少部分所述支撑柱同轴。
16、可选的，沿所述底座轴向相邻的所述承载部与所述支撑柱之间可拆卸转动连接。
17、可选的，所述承载部顶部包括第一面、高度低于所述第一面的承载面以及位于所述第一面和承载面之间且分别连接所述第一面和所述承载面的第三面以组成台阶结构，所述第一面相较所述承载面沿径向远离所述凹陷结构轴线以用于可拆卸设置另一所述支撑柱。
18、可选的，所述的半导体处理用支架装置，还包括设于至少一所述承载层的镂空承托板，同一所述承载层中的至少部分所述支撑柱贯穿一所述镂空承托板的边部，或者所述镂空承托板的边部为同一所述承载层的各承载面所承托。
19、可选的，所述的半导体处理用支架装置，还包括设于至少一所述承载层的遮蔽板，同一所述承载层中的至少部分所述支撑柱贯穿一所述遮蔽板的边部，或者所述遮蔽板的边部为同一所述承载层的至少部分承载面所承托。
20、可选的，所述遮蔽板中部凸起，且外径自上而下增大。
21、可选的，同一所述承载层的相邻所述支撑柱之间由加强结构连接。
22、可选的，所述的半导体处理用支架装置，还包括安全装置，所述安全装置可拆卸设于所述底座顶部并围绕所述承载层。
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1.一种半导体处理用支架装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述凹陷结构内悬设有架体和/或栅格承载结构。
3.根据权利要求2所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述架体与所述凹陷结构内壁之间设有至少一栅格承载结构。
4.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述底座侧壁开设有与所述凹陷结构相通的至少一侧壁镂空结构。
5.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述承载层数量至少为2，沿所述底座轴向相邻的所述承载部之间通过一所述支撑柱可拆卸连接，各所述载具中的所述支撑柱相较于对应可拆卸连接的所述承载部上的所述承载面而言沿径向远离所述中空区域。
6.根据权利要求5所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，同一所述承载层中，各所述承载面的高度相同。
7.根据权利要求6所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，不同所述承载层的位于同一侧的至少部分所述支撑柱同轴。
8.根据权利要求5所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，沿所述底
9.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述承载部顶部包括第一面、高度低于所述第一面的承载面以及位于所述第一面和承载面之间且分别连接所述第一面和所述承载面的第三面以组成台阶结构，所述第一面相较所述承载面沿径向远离所述凹陷结构轴线以用于可拆卸设置另一所述支撑柱。
10.根据权利要求2所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，还包括设于至少一所述承载层的镂空承托板，同一所述承载层中的至少部分所述支撑柱贯穿一所述镂空承托板的边部，或者所述镂空承托板的边部为同一所述承载层的各承载面所承托。
11.根据权利要求2所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，还包括设于至少一所述承载层的遮蔽板，同一所述承载层中的至少部分所述支撑柱贯穿一所述遮蔽板的边部，或者所述遮蔽板的边部为同一所述承载层的至少部分承载面所承托。
12.根据权利要求11所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述遮蔽板中部凸起，且外径自上而下增大。
13.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，同一所述承载层的相邻所述支撑柱之间由加强结构连接。
14.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，还包括安全装置，所述安全装置可拆卸设于所述底座顶部并围绕所述承载层。
15.一种半导体处理设备，其特征在于，包括处理腔室，所述处理腔室内容纳有权利要求1所述的半导体处理用支架装置，使所述半导体处理用支架装置沿所述处理腔室的轴向延伸。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体处理用支架装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述凹陷结构内悬设有架体和/或栅格承载结构。
3.根据权利要求2所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述架体与所述凹陷结构内壁之间设有至少一栅格承载结构。
4.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述底座侧壁开设有与所述凹陷结构相通的至少一侧壁镂空结构。
5.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述承载层数量至少为2，沿所述底座轴向相邻的所述承载部之间通过一所述支撑柱可拆卸连接，各所述载具中的所述支撑柱相较于对应可拆卸连接的所述承载部上的所述承载面而言沿径向远离所述中空区域。
6.根据权利要求5所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，同一所述承载层中，各所述承载面的高度相同。
7.根据权利要求6所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，不同所述承载层的位于同一侧的至少部分所述支撑柱同轴。
8.根据权利要求5所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，沿所述底座轴向相邻的所述承载部与所述支撑柱之间可拆卸转动连接。
9.根据权利要求1所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，所述承载部顶部包括第一面、高度低于所述第一面的承载面以及位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文，彭海，周慧娟，
申请(专利权)人：楚赟科技绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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