一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路，包括：连接于半导体处理设备和尾气处理设备之间的硬管，和穿设于所述硬管中的软管；所述软管通过两端与所述硬管的内壁相密接，从而在所述软管与所述硬管之间形成空腔；所述硬管的管壁上设有压力控制单元，所述压力控制单元与所述空腔连通，用于对所述空腔进行增压或减压，以使所述软管的管壁因发生形变而产生表面积的大小变化，从而使得因尾气流经软管并在软管壁上形成的附着物从软管的内壁上自动脱落而得到清理。本实用新型专利技术能在避免拆除尾气管路的状态下，对尾气管路中管壁上的附着物进行清理，避免了频繁拆除管道，由此减少了停机时间，提高了机台利用率。提高了机台利用率。提高了机台利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路


[0001]本技术涉及半导体处理设备
，尤其涉及一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路。

技术介绍

[0002]半导体工艺中会产生大量的工艺尾气，包括未反应的工艺气体、反应生成物和反应副产物等粉尘颗粒，这些工艺尾气通过与半导体反应腔室的出气口相连通的尾气管路排出，然后需要经过尾气处理设备的净化处理后，才能得以排放。这些工艺尾气在尾气管路中经过时，容易造成尾气管路堵塞，例如：(1)未反应的工艺气体可能会进一步沉积并附着在尾气管路的管壁上，一段时间后，沉积反应物将堵塞尾气管路；(2)反应生成物和反应副产物等粉尘、颗粒，受尾气管路中温降影响，而附着在管壁上；(3)在尾气管路与尾气处理设备连接处，工艺尾气与尾气处理设备中的酸或碱反应，会在连接处产生结晶附着物，从而经常会发生因结晶杂质不断堆积而堵塞尾气管路的问题；(4)在尾气管路上通常设置过滤器，以俘获尾气中的粉尘颗粒等，因此过滤器入口处容易形成附着物而造成管路堵塞，另，对于现有技术中已广泛使用的MOCVD装置，尤其是As/P系MOCVD，其沉积过程所使用的磷烷(ph3)在经过一系列化学反应后会生成单质磷(p)，尾气管路上通常会设有磷阱以俘获单质磷，但单质磷在磷阱的入口处容易冷凝成固态的白磷而附着在入口处管壁上，造成管道的堵塞。
[0003]现有技术中为避免尾气管路堵塞影响半导体工艺，通常需要定期拆除尾气管路，将尾气管路管壁上的附着物清理干净。由此增加了半导体处理设备的停机时间，降低了机台的利用率。

技术实现思路
/>[0004]本技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路。
[0005]为实现上述目的，本技术的技术方案如下：
[0006]一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路，包括：
[0007]连接于半导体处理设备和尾气处理设备之间的硬管，和穿设于所述硬管中的软管；
[0008]所述软管通过两端与所述硬管的内壁相密接，从而在所述软管与所述硬管之间形成空腔；
[0009]所述硬管的管壁上设有压力控制单元，所述压力控制单元与所述空腔连通，用于对所述空腔进行增压或减压，以使所述软管的管壁因发生形变而产生表面积的大小变化。
[0010]进一步地，所述压力控制单元包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门用于减压控制，所述第二阀门用于增压控制。
[0011]进一步地，所述硬管的管壁上设有流体入口，所述流体入口连接导流管的第一端，所述导流管的第二端连接第一导流支管的第一端和第二导流支管的第一端，所述第一导流
支管上设有所述第一阀门，所述第二导流支管上设有所述第二阀门，所述第一导流支管的第二端连接至真空管路，所述第二导流支管的第二端连接至增压管路。
[0012]进一步地，所述软管的长度小于等于所述硬管的长度，且所述软管的两端固定于所述硬管的两端以内的任意位置上。
[0013]进一步地，所述软管在所述硬管的两端以内设置一至多个。
[0014]进一步地，所述软管的尾气入口端上设有第一压力计，尾气出口端上设有第二压力计。通过在软管的尾气入口端上设置第一压力计，在尾气出口端上设置第二压力计，可通过对软管的尾气入口端的第一压力值和尾气出口端的第二压力值进行检测，并根据两者的差值大小，对是否需进行清理以及清理效果进行正确判断。
[0015]进一步地，所述硬管的管壁上设有第三压力计，用于检测所述空腔内的压力值。通过在硬管的管壁上设置第三压力计，对空腔内的第三压力值进行检测，并与软管材料发生弹性形变所需的形变力进行比较，从而可对增压状态进行准确把握。
[0016]进一步地，所述软管在增压状态下，满足：所述软管沿径向朝远离所述硬管的方向形变的最大距离/所述硬管的管径＝30％～50％。
[0017]进一步地，所述软管设于靠近所述尾气处理设备的所述硬管的一端侧；或者，所述软管设于靠近反应腔室的所述硬管的另一端侧。
[0018]进一步地，所述增压管路用于向所述空腔中通入气体或液体。
[0019]由上述技术方案可以看出，本技术通过在尾气管路的硬管中穿设软管，并将软管通过两端与硬管的内壁相密接，在软管与硬管之间形成空腔；当尾气流经软管并在软管壁上形成附着物时，可通过压力控制单元，使空腔内的压力发生改变，以使软管的管壁因发生形变而产生表面积的大小变化，从而使得附着物从软管的内壁上自动脱落而得到清理。因此，本技术能在避免拆除尾气管路的状态下，对尾气管路中管壁上的附着物进行清理，避免了频繁拆除管道，由此减少了停机时间，提高了机台利用率。
附图说明
[0020]图1为本技术一较佳实施例的一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路与尾气处理设备的连接结构示意图；
[0021]图2为本技术一较佳实施例的一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路的结构示意图；
[0022]图3
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图4为本技术一较佳实施例的一种空腔内压力变化状态示意图；
[0023]图5
‑
图7为本技术一较佳实施例的一种软管在尾气管路中的设置形式示意图。
具体实施方式
[0024]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士
所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0025]本技术提供一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路，包括：连接于半导体处理设备和尾气处理设备之间的硬管，和穿设于所述硬管中的软管；所述软管通过两端与所述硬管的内壁相密接，从而在所述软管与所述硬管之间形成空腔；所述硬管的管壁上设有压力控制单元，所述压力控制单元与所述空腔连通，用于对所述空腔进行增压或减压，以使所述软管的管壁因发生形变而产生表面积的大小变化。
[0026]本技术通过在尾气管路的硬管中穿设软管，并将软管通过两端与硬管的内壁相密接，在软管与硬管之间形成空腔；当尾气流经软管并在软管壁上形成附着物时，可通过压力控制单元，使空腔内的压力发生改变，以使软管的管壁因发生形变而产生表面积的大小变化，从而使得附着物从软管的内壁上自动脱落而得到清理。
[0027]本技术能在避免拆除尾气管路的状态下，对尾气管路中管壁上的附着物进行清理，避免了频繁拆除管道，因此能减少停机时间，并提高机台利用率。
[0028]下面结合附图，对本技术的具体实施方式作进一步的详细说明。
[0029本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路，其特征在于，包括：连接于半导体处理设备和尾气处理设备之间的硬管，和穿设于所述硬管中的软管；所述软管通过两端与所述硬管的内壁相密接，从而在所述软管与所述硬管之间形成空腔；所述硬管的管壁上设有压力控制单元，所述压力控制单元与所述空腔连通，用于对所述空腔进行增压或减压，以使所述软管的管壁因发生形变而产生表面积的大小变化。2.根据权利要求1所述的用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路，其特征在于，所述压力控制单元包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门用于减压控制，所述第二阀门用于增压控制。3.根据权利要求2所述的用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路，其特征在于，所述硬管的管壁上设有流体入口，所述流体入口连接导流管的第一端，所述导流管的第二端连接第一导流支管的第一端和第二导流支管的第一端，所述第一导流支管上设有所述第一阀门，所述第二导流支管上设有所述第二阀门，所述第一导流支管的第二端连接至真空管路，所述第二导流支管的第二端连接至增压管路。4.根据权利要求1所述的用于半导体处理设备的防堵塞尾气管路，其特征在于，所述软管...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑冬，周慧娟，
申请(专利权)人：楚赟科技绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：