半导体结构的制造方法及半导体结构技术

本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区、位于相邻两个有源区之间的隔离结构以及位于有源区上的绝缘层，其中，隔离结构的厚度与绝缘层的厚度不同；在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一掩膜层；利用第一掩膜层对衬底进行离子注入处理，形成深阱区；去除第一掩膜层以及缓冲层；本申请通过在衬底上形成缓冲层，使得缓冲层同时覆盖隔离结构和绝缘层，可以消除隔离结构和绝缘层对光产生的反射差异，即消除了反射差异对曝光的影响，从而实现光刻工艺关键尺寸的均匀性控制，保证离子注入的均匀，提升了像素的满阱容量的均一性，减少了不规则噪声。了不规则噪声。了不规则噪声。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及半导体结构


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成技术的飞速发展，互补金属氧化物半导体图像传感器（CMOS Image Sensor，CIS）因其可在单芯片内集成A/D（模/数）转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储等功能，大大减小了系统复杂性，降低了成本，所以近年来发展迅猛。
[0003]然而在相关技术中，CIS器件存在像素间满阱容量的差异较大，不规则噪声较明显的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的主要目的在于提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，用于解决半导体结构存在像素间满阱容量的差异较大，不规则噪声较明显的技术问题。
[0005]为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括多个有源区、位于相邻两个所述有源区之间的隔离结构以及位于所述有源区上的绝缘层，其中，所述隔离结构的厚度与所述绝缘层的厚度不同；在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括多个有源区、位于相邻两个所述有源区之间的隔离结构以及位于所述有源区上的绝缘层，其中，所述隔离结构的厚度与所述绝缘层的厚度不同；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成第一掩膜层；利用所述第一掩膜层对所述衬底进行离子注入处理，形成深阱区；去除所述第一掩膜层以及所述缓冲层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材料与所述绝缘层的材料以及所述隔离结构的材料均不同，且所述缓冲层的材料具备反射能力。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氮化硅或氮氧化硅。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材料与所述绝缘层的材料以及所述隔离结构的材料均不同，且所述缓冲层的材料不具备反射能力。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述缓冲层上形成反射层；在去除所述第一掩膜层之后，且去除所述缓冲层之前，去除所述反射层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李赟，王逸群，孙远，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：