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本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区、位于相邻两个有源区之间的隔离结构以及位于有源区上的绝缘层，其中，隔离结构的厚度与绝缘层的厚度不同；在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一掩膜层；利用第一...
该专利属于湖北江城芯片中试服务有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北江城芯片中试服务有限公司授权不得商用。

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