掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本公开是关于一种掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质，掩膜版数据生成方法包括：基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据；将初始图形数据和辅助图形数据合并，得到合并数据；对合并数据进行数据提取，确定出与半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据；对第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据；基于第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据。该方法提取出的至少部分层别的初始层别图形数据中带有辅助图形数据，避免了在分离各层别的图形数据后再分别生成对应的辅助图形数据所导致的工作量的增加和检查步骤的增设，降低了运算错误率，减少了运算量和工作流程，提升了掩膜版数据生成效率和准确性。数据生成效率和准确性。数据生成效率和准确性。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及一种掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质。

技术介绍

[0002]由于光学系统的不完善性和衍射效应，需要对掩膜版的图形数据进行光学邻近效应修正，这将会导致掩膜版的部分区域存在狭缝，进而在通过掩膜版对半导体结构进行曝光时使得半导体结构的图案存在缺陷。
[0003]为解决上述问题，通常是对半导体结构对应的掩膜版图形数据进行层别分离后，再对会因光学邻近效应修正而产生图案缺陷的层别所对应的掩膜版图形数据添加辅助图形数据，通过辅助图形数据解决狭缝问题，这种方式存在运算量大、错误率高且需要增设检查步骤等问题。

技术实现思路

[0004]为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种掩膜版数据生成方法，用于生成制作掩膜版所需的数据，所述掩膜版用于制作半导体结构，所述掩膜版数据生成方法包括：基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。
[0006]本公开的一些实施例中，所述半导体结构包括多个芯片区以及相邻所述芯片区之间的切割道区，所述芯片区和所述切割道区均包括用于设置保护环的保护环区；所述基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，包括：获取所述初始图形数据中与所述芯片区对应的芯片尺寸数据或者与所述保护环区对应的保护环尺寸数据；根据所述芯片尺寸数据或者所述保护环尺寸数据，确定所述辅助图形数据，以使得所述预设区域能够将所述芯片区和/或所述切割道区的所述保护环区覆盖。
[0007]本公开的一些实施例中，所述对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导
体结构的各层别对应的初始层别图形数据，包括：在所述初始图形数据中提取出各层别对应的图形数据，并将各层别对应的图形数据分别与所述辅助图形数据形成与各层别对应的所述初始层别图形数据。
[0008]本公开的一些实施例中，所述掩膜版数据生成方法还包括：对至少部分所述初始层别图形数据标记第一预设标识，所述第一预设标识用于指示该初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正且修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；所述对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，包括：将具有所述第一预设标识的所述初始层别图形数据确定为所述第一层别图形数据；对所述第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，且修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域，得到所述第一修正图形数据。
[0009]本公开的一些实施例中，所述掩膜版数据生成方法还包括：对至少部分所述初始层别图形数据中的第二层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第二修正图形数据，修正区域为所述第二层别图形数据对应的初始图形；所述基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，包括：将未进行光学邻近效应修正的各所述初始层别图形数据、所述第一修正图形数据和所述第二修正图形数据确定为所述各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据。
[0010]本公开的一些实施例中，所述掩膜版数据生成方法还包括：对各所述初始层别图形数据中的所述辅助图形数据标记第二预设标识，所述第二预设标识用于表征所述辅助图形数据为非生产用数据。
[0011]本公开的一些实施例中，所述目标层别图形数据为GDS格式数据。
[0012]根据本公开实施例的第二方面，提供一种掩膜版数据生成装置，所述掩膜版数据生成装置包括：第一确定模块，所述第一确定模块被配置为基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；合并模块，所述合并模块被配置为将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；提取模块，所述提取模块被配置为对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；第一修正模块，所述第一修正模块被配置为对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；第二确定模块，所述第二确定模块被配置为基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。
[0013]根据本公开实施例的第三方面，提供一种掩膜版数据生成设备，所述掩膜版数据生成设备包括：处理器；用于存储处理器可执行指令的存储器；其中，所述处理器被配置为执行：基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。
[0014]根据本公开实施例的第四方面，提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由掩膜版数据生成设备的处理器执行时，使得掩膜版数据生成设备能够执行：基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。
[0015]本公开的实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版数据生成方法，用于生成制作掩膜版所需的数据，所述掩膜版用于制作半导体结构，其特征在于，所述掩膜版数据生成方法包括：基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。2.根据权利要求1所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述半导体结构包括多个芯片区以及相邻所述芯片区之间的切割道区，所述芯片区和所述切割道区均包括用于设置保护环的保护环区；所述基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，包括：获取所述初始图形数据中与所述芯片区对应的芯片尺寸数据或者与所述保护环区对应的保护环尺寸数据；根据所述芯片尺寸数据或者所述保护环尺寸数据，确定所述辅助图形数据，以使得所述预设区域能够将所述芯片区和/或所述切割道区的所述保护环区覆盖。3.根据权利要求1所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，包括：在所述初始图形数据中提取出各层别对应的图形数据，并将各层别对应的图形数据分别与所述辅助图形数据形成与各层别对应的所述初始层别图形数据。4.根据权利要求3所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述掩膜版数据生成方法还包括：对至少部分所述初始层别图形数据标记第一预设标识，所述第一预设标识用于指示该初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正且修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；所述对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，包括：将具有所述第一预设标识的所述初始层别图形数据确定为所述第一层别图形数据；对所述第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，且修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域，得到所述第一修正图形数据。5.根据权利要求1所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述掩膜版数据生成方法还包括：对至少部分所述初始层别图形数据中的第二层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第二修正图形数据，修正区域为所述第二层别图形数据对应的初始图形；所述基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，包括：
将未进行光学邻近效应修正的各所述初始层别图形数据、所述第一修正图形数据和所述第二修正图形数据确定为所述各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据。6.根据权利要求1所述的掩膜版数据生成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李树平，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：