一种提高掩模图形优化收敛性方法、装置及计算机设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光刻技术领域，特别涉及一种提高掩模图形优化收敛性方法、装置及计算机设备。本发明专利技术选取第一预设区域，第一预设区域包括初始掩模版图，将第一预设区域界定为初始边界区域；将初始边界区域按照预设规律划分为预设大小的分块，按照预设次序优化初始边界区域内所有分块并获得第一优化结果；在初始边界区域外增加第二预设区域获得修正边界区域，修正边界区域与初始边界区域相重合的面积大于初始边界区域的面积；将修正边界区域按照同样的预设规律划分为同样预设大小的分块；按照预设次序优化修正边界区域内所有分块并获得第二优化结果；结合第一优化结果和第二优化结果以获得最终优化的掩模版图。解决掩模图形的优化结果收敛性较差的问题。结果收敛性较差的问题。结果收敛性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种提高掩模图形优化收敛性方法、装置及计算机设备


[0001]本专利技术涉及光刻
，特别涉及一种提高掩模图形优化收敛性方法、装置及计算机设备。

技术介绍

[0002]由于计算光刻的运算量巨大，目前的ED A软件和计算机服务器集群的计算能力还不足以支持一次性优化整个芯片版图。因此在掩模优化过程中，会将掩模版图先进行分块，再分别按照顺序对各个分块进行优化，最后拼接各个分块的优化结果得到完整的优化掩模图形。
[0003]然而，各个分块在优化的时候需要向外扩展一定的范围保证计算结果的准确性。当前分块对掩模图形进行优化时会将分块边界内的掩模图形的优化结果以及分块扩展后的边界内的掩模图形的优化结果都进行保存。造成的结果是相邻分块在进行优化时其边界附近的掩模图形的优化结果收敛性较差，从而导致边界附近的图形经过光刻机曝光后在硅片上形成的芯片电路容易发生短路或者断路的情况。

技术实现思路

[0004]为了解决相邻分块在进行优化时其边界附近的掩模图形的优化结果收敛性较差的问题，本专利技术提供一种提高掩模图形优化收敛性方法、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高掩模图形优化收敛性方法，应用于初始掩模版图，其特征在于：包括以下步骤：选取第一预设区域，第一预设区域包括初始掩模版图，将第一预设区域界定为初始边界区域；将初始边界区域按照预设规律划分为预设大小的分块，按照预设次序优化初始边界区域内所有分块并获得第一优化结果；在初始边界区域外增加第二预设区域获得修正边界区域，修正边界区域与初始边界区域相重合的面积大于初始边界区域的面积；将修正边界区域按照同样的预设规律划分为同样预设大小的分块；按照预设次序优化修正边界区域内所有分块并获得第二优化结果；结合第一优化结果和第二优化结果以获得最终优化的掩模版图。2.如权利要求1所述的一种提高掩模图形优化收敛性方法，其特征在于：所述第一预设区域的面积大于等于所述初始掩模版图的面积。3.如权利要求1所述的一种提高掩模图形优化收敛性方法，其特征在于：初始边界区域内相邻分块之间形成的边界线与修正边界区域内相邻分块之间形成的边界线不重合。4.如权利要求1所述的一种提高掩模图形优化收敛性方法，其特征在于：在初始边界区域外增加第二预设区域获得修正边界区域具体包括以下步骤：以第二预设区域为待移动边界区域，将待移动边界区域按照预设规则进行移动从而形成修正边界区域。5.如权利要求4所述的一种提高掩模图形优化收敛性方法，其特征在于：将待移动边界区域按照预设规则进行移动获得修正边界区域包括：选取初始边界区域的顶点为坐标轴原点，与顶点连接的两条边为坐标轴的x轴和y轴；界定所述分块的边长为a，所述初始边界区域的边长为N，所述待移动边界区域的边长为a+N，所述待移动边界区域沿直线y＝x朝坐标轴的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈运，
申请(专利权)人：深圳晶源信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：