【技术实现步骤摘要】
一种集成大电流二次保护模组
[0001]本专利技术涉及一种集成大电流二次保护模组,属于电池安全防护领域,首次采用大电流集成方式在电源中使用。
技术介绍
[0002]随着电池电源的发展,大电流电池组在各个领域的应用也越来越广泛,电动车,电摩、AGV、高尔夫球车、物流车、叉车、储能等设备中应用。对电池组的安全性要求也越来越高.因此在设计过程中要考虑使用更多级的二级保护来提高电池的安全性。
[0003]目前大电流电池组的多级保护电路设计,行业内一般采用一级保护配合普通保险丝作二级保护的常规设计来实现,还有就是通过专用的二级保护芯片,由于二级保护选型限制,二级保护的电压及延迟时间只能选择固定值,设计有很大的局限性,同时不能作为大电流二次保护的方案。参数的不同电池会产生过充情况,存在极大的安全风险。电池组作为动力方便和环保,使用越来越普及。但随着动力电池及组合电池在日常工作生活的广泛应用,安全就显得尤为重要。
技术实现思路
[0004]本专利技术目的在于:提供一种集成大电流二次保护模组,通过优化设计,减少客户的应用限制,在高低电源侧都可以方便使用,更提供了温度、总压、外部中断控制等功能,而且集成后的模组,在已有的电池组上也可方便添加,提高电池管理系统的安全可靠性。
[0005]本专利技术目的通过下述方案实现:一种集成大电流二次保护模组,包括微控制器电路、保险丝熔断驱动电路、高侧端供电电源转换电路、低侧端供电电源转换电路、三端保险丝集合、报警驱动电路,其中,所述的微控制器电路与高侧端供电电源转换电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成大电流二次保护模组,包括微控制器电路、保险丝熔断驱动电路、高侧端供电电源转换电路、低侧端供电电源转换电路、三端保险丝集合、报警驱动电路,其特征在于,所述的微控制器电路与高侧端供电电源转换电路、低侧端供电电源转换电路、保险丝熔断驱动电路连接;所述的保险丝熔断驱动电路与三端保险丝集合、报警驱动电路、低侧端供电电源转换电路连接;所述大电流二次保护模组将微控制器电路、保险丝熔断驱动电路、高侧端供电电源转换电路、低侧端供电电源转换电路、三端保险丝集合、报警驱动电路集成在一起,模块通过专用引脚与电池组连接。2.根据权利要求1所述的集成大电流二次保护模组,其特征在于,所述微控制器电路,与INI引脚连接,外部中断INI 可以干预微控制器电路;所述微控制器电路,与RT1、RT2以及GND引脚连接;所述高侧端供电电源转换电路,与微控制器电路、IN引脚以及三端保险丝集合连接;所述低侧端供电电源转换电路,与LIN引脚、微控制器电路以及保险丝熔断驱动电路连接;所述保险丝熔断驱动电路,与微控制器电路、低侧端供电电源转换电路、三端保险丝集合以及报警驱动电路连接;所述三端保险丝集合,与IN引脚、OUT引脚、保险丝熔断驱动电路以及高侧端供电电源转换电路连接;所述报警驱动电路,与保险丝熔断驱动电路以及LOUT引脚连接。3.根据权利要求1或2所述的的集成大电流二次保护模组,其特征在于由微控制器电路、保险丝熔断驱动电路、高侧端供电电源转换电路、低侧端供电电源转换电路、三端保险丝集合、报警驱动电路搭建的大电流二次保护电路集成(9)位于中间,通过铜带或附钢基板(7)进行电流的传输,基板二侧的固定孔(15)和垫片(8)配合,用于固定IN端子和OUT端子,IN端子和OUT端子连接电池组的B+和P+或B-和P-;9位于中间位置,连接端子在前面或背面。4.根据权利要求3所述的的集成大电流二次保护模组,其特征在于,INI端子、RT1端子、RT2端子、LIN端子、LOUT端子、GND端子既可以使用焊盘的形式连接在基板上,或使用连接器的方式体现在基板(7)上。5.根据权利要求1或2所述的集成大电流二次保护模组,其特征在于:所述微控制器电路1提供电压、温度检测,包括温度检测电路(13)、MCU(11)、参考极稳压电路(14)、高电压检测电路(12),所述的温度检测电路(13)连接到RT1端口和RT2端口,实现电池温度的检测和充放电端口温度的检测,保护电池组过温和保护端口连接器因接触不良导致连接器高温融化粘连;高电压检测电路(12)连接到POWER-D端口,实现对电池电压的监控,保护电池组充电过压;参考及稳压电路(14)连接到3.3/5V端口,为微控制器电路供电。6.根据权利要求1或2所述的集成大电流二次保护模组,其特征在于:所述微控制器电路(1)在处理高侧端供电电源转换电路(2)和低侧端供电电源转换电路(4)信号后,提供驱动信号给保险丝熔断驱动电路(3);或者,所述微控制器电路(1)处理外部端口INI、RT1、RT2信号后,提供驱动信号给保险丝熔断驱动电路(3)。7.根据权利要求6所述的集成大电流二次保护模组,其特征在于:所述的保险丝熔断驱动电路,包括大电流开关MOSFET Q2~QN、Q5~Q6N,N表示使用的MOSFET数,使用TO-252封
装的MOSFET需要8颗,N就等于8,使用TO-263封装的MOSFET就需要4颗,N就等于4;电路中,MOSFET管Q1、Q3、Q4为信号开关电路;瞬态二极管TVS1~TVS6为了保护开关管,防止浪涌冲击;由D8、TVS1、C1、R1、Q1、R3、R15、TVS2、C2、R2、D5、Q2~QN组成低侧供电保险丝熔断驱动电路;由D9、TVS3、C4、R4、Q3、TVS4、R6、C3、R5、D6、Q4、R7、...
【专利技术属性】
技术研发人员:毛卫清,马东战,罗君,沈海波,
申请(专利权)人:上海维安电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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