存储器件以及包括该存储器件的存储系统技术方案

提供了一种存储器件以及包括该存储器件的存储系统。该存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，响应于刷新命令执行刷新操作，在第一模式下响应于所述刷新命令生成内部模式寄存器写入命令，在第二模式下响应于所述刷新命令不生成所述内部模式寄存器写入命令。寄存器写入命令。寄存器写入命令。

【技术实现步骤摘要】
存储器件以及包括该存储器件的存储系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0153249和于2021年12月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0184027的优先权，每一个韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。


[0003]实施例涉及一种存储器件以及包括该存储器件的存储系统。

技术介绍

[0004]在诸如动态随机存取存储器(DRAM)的易失性存储器件中，存储在存储单元中的单元电荷可能由于泄漏电流而丢失。在单元电荷丢失并且数据损坏之前，应当用单元电荷对存储单元再充电。用单元电荷对存储单元再充电的操作被称为刷新操作。重复地执行这样的刷新操作以避免单元电荷的丢失。

技术实现思路

[0005]根据实施例，一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，响本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，响应于刷新命令执行刷新操作，在第一模式下响应于所述刷新命令生成内部模式寄存器写入命令，并且在第二模式下响应于所述刷新命令不生成所述内部模式寄存器写入命令。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，在所述第一模式下，所述控制逻辑响应于所述内部模式寄存器写入命令，将要被执行所述刷新操作的存储体地址和行地址写入到所述模式寄存器。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中：所述内部模式寄存器写入命令包括第一内部模式寄存器写入命令和第二内部模式寄存器写入命令；所述模式寄存器包括第一模式寄存器和第二模式寄存器；并且所述控制逻辑响应于所述第一内部模式寄存器写入命令将所述存储体地址写入到所述第一模式寄存器，并且响应于所述第二内部模式寄存器写入命令将所述行地址写入到所述第二模式寄存器。4.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述控制逻辑先生成所述第一内部模式寄存器写入命令，然后生成所述第二内部模式寄存器写入命令。5.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述控制逻辑先生成所述第二内部模式寄存器写入命令，然后生成所述第一内部模式寄存器写入命令。6.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述第一模式寄存器和所述第二模式寄存器是连续的。7.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述第一模式寄存器和所述第二模式寄存器是不连续的。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述控制逻辑响应于模式寄存器写入命令将模式信息写入到所述模式寄存器，并且根据所述模式信息在所述第一模式和所述第二模式中的一者下工作。9.根据权利要求8所述的存储器件，其中：所述内部模式寄存器写入命令包括第一内部模式寄存器写入命令和第二内部模式寄存器写入命令；所述模式寄存器包括第一模式寄存器和第二模式寄存器；并且所述控制逻辑响应于所述模式寄存器写入命令将所述模式信息写入到所述第一模式寄存器，响应于所述第一内部模式寄存器写入命令将要被执行所述刷新操作的存储体地址写入到所述第一模式寄存器，并且响应于所述第二内部模式寄存器写入命令将要被执行所述刷新操作的行地址写入到所述第二模式寄存器。10.根据权利要求8所述的存储器件，其中：所述内部模式寄存器写入命令包括第一内部模式寄存器写入命令和第二内部模式寄存器写入命令；所述模式寄存器包括第一模式寄存器、第二模式寄存器和第三模式寄存器；并且所述控制逻辑响应于所述模式寄存器写入命令将所述模式信息写入到所述第一模式
寄存器，响应于所述第一内部模式寄存器写入命令将要被执行所述刷新操作的存储体地址写入到所述第二模式寄存器，并且响应于所述第二内部模式寄存器写入命令，将要被执行所述刷新操...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳廷旻，赵诚珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：