动态随机存取内存及其操作方法技术

本发明专利技术提供一种动态随机存取内存(DRAM)及其操作方法。DRAM包括存储单元数组、温度传感器以及刷新逻辑电路。温度传感器感测DRAM的温度。刷新逻辑电路基于内存控制器所发出的刷新命令而进入tRFC，以对存储单元数组的至少一个存储单元行进行自动刷新操作。在温度控制刷新模式中，刷新逻辑电路依据温度传感器的温度感测结果对应调整在tRFC中多个tRAS时段的个数。在细粒度刷新模式中，刷新逻辑电路依据内存控制器所规定的粒度对应调整在tRFC中这些tRAS时段的个数。tRAS时段的个数。tRAS时段的个数。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取内存及其操作方法


[0001]本专利技术涉及一种内存，尤其涉及一种动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及其操作方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory，DRAM)标准，例如第四代双倍数据率同步动态随机存取内存(Double
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Data
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Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDR4 SDRAM)标准或是其他标准，针对低温(cold temperature)下的功耗和瞬时电流(instant current)降低而规范了两个功能。针对低温下的功耗，动态随机存取内存标准规范了温度控制刷新(temperature controlled refresh，TCR)模式。在温度控制刷新模式中，DRAM内部可以依据温度去判断应该阻挡(忽略或不执行)内存控制器所发出的哪个刷新命令(refresh command本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取内存，其特征在于，所述动态随机存取内存包括：存储单元数组，包括多个存储单元行；温度传感器，用以感测所述动态随机存取内存的温度；以及刷新逻辑电路，耦接至所述温度传感器以接收温度感测结果，用以基于内存控制器所发出的刷新命令而进入行刷新周期时间以对所述多个存储单元行中的至少一者进行自动刷新操作，其中，在温度控制刷新模式中，所述刷新逻辑电路依据所述温度感测结果对应调整在所述行刷新周期时间中多个行地址启用时间的时段个数；以及在细粒度刷新模式中，所述刷新逻辑电路依据所述内存控制器所规定的粒度对应调整在所述行刷新周期时间中所述多个行地址启用时间的所述时段个数。2.根据权利要求1所述的动态随机存取内存，其特征在于，所述动态随机存取内存还包括：刷新计数器，耦接至所述刷新逻辑电路以提供所述自动刷新操作的目前刷新字线地址，其中所述目前刷新字线地址对应于所述多个存储单元行中的目标行，所述刷新计数器分别在所述多个行地址启用时间更新所述目前刷新字线地址，以及所述刷新逻辑电路在所述多个行地址启用时间的每一个刷新所述目前刷新字线地址所对应的所述目标行。3.根据权利要求1所述的动态随机存取内存，其特征在于，所述行地址启用时间为动态随机存取内存标准所规范的tRAS，所述行刷新周期时间为所述动态随机存取内存标准所规范的tRFC，以及所述时段个数为被配置在同一个tRFC中的tRAS时段的个数。4.根据权利要求1所述的动态随机存取内存，其特征在于，当所述温度感测结果表示所述动态随机存取内存的所述温度大于上门坎时，所述刷新逻辑电路在所述温度控制刷新模式中依据所述温度感测结果在所述行刷新周期时间中配置X个所述行地址启用时间，其中X为整数；当所述温度感测结果表示所述动态随机存取内存的所述温度介于所述上门坎与下门坎之间时，所述刷新逻辑电路在所述温度控制刷新模式中依据所述温度感测结果在所述行刷新周期时间中配置Y个所述行地址启用时间，其中Y为小于X的整数，以及所述上门坎大于所述下门坎；以及当所述温度感测结果表示所述动态随机存取内存的所述温度小于所述下门坎时，所述刷新逻辑电路在所述温度控制刷新模式中依据所述温度感测结果在所述行刷新周期时间中配置Z个所述行地址启用时间，其中Z为小于Y的整数。5.根据权利要求1所述的动态随机存取内存，其特征在于，所述粒度为原粒度、两倍粒度与四倍粒度其中一个，当所述内存控制器规定所述粒度为所述原粒度时，所述刷新逻辑电路在所述细粒度刷新模式中依据所述粒度在所述行刷新周期时间中配置N个所述行地址启用时间，其中N为整数；当所述内存控制器规定所述粒度为所述两倍粒度时，所述刷新逻辑电路在所述细粒度刷新模式中依据所述粒度在所述行刷新周期时间中配置int(N/2)个所述行地址启用时间，其中int()为整数函数；以及当所述内存控制器规定所述粒度为所述四倍粒度时，所述刷新逻辑电路在所述细粒度
刷新模式中依据所述粒度在所述行刷新周期时间中配置int(N/4)个所述行地址启用时间。6.根据权利要求1所述的动态随机存取内存，其特征在于，所述刷新逻辑电路包括：模式寄存器，用以记录所述内存控制器所规定的所述粒度以及所述动态随机存取内存的操作模式；命令译码器，用以解码所述内存控制器的所述刷新命令；以及细粒度刷新逻辑电路，耦接至所述温度传感器、所述模式寄存器以及所述命令译码器，其中，当所述模式寄存器的内容表示所述动态随机存取内存的所述操作模式为所述温度控制刷新模式时，所述细粒度刷新逻辑电路依据所述温度感测结果对应调整在所述行刷新周期时间中所述多个行地址启用时间的所述时段个数；以及当所述模式寄存器的内容表示所述动态随机存取内存的所述操作模式为所述细粒度刷新模式时，所述细粒度刷新逻辑电路依据所述粒度对应调整在所述行刷新周期时间中所述多个行地址启用时间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜农，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：