半导体结构上失效点的定位方法及治具的制作方法技术

本公开是关于一种半导体结构上失效点的定位方法及治具的制作方法，所述半导体结构上失效点的定位方法包括：提供治具；获取目标器件上失效点的失效坐标；将所述治具靠近所述目标器件；依据检索到的与所述失效坐标对应的所述定位点，于所述目标器件上标记对应位置。本公开通过与目标器件位置对应的治具直接定位失效坐标的具体位置，而不再需要通过数常闭触点的个数来确定失效坐标在目标器件上的具体位置，减少了去层切片检测之前在目标器件上根据前置步骤中在电性测试设备上抓取到的失效地址找到失效点的耗时，减小了目标器件所受电子束的辐照时长导致电性结果偏差的可能，同时为后续的定位切样步骤提供定位，降低了后续检测步骤的难度。测步骤的难度。测步骤的难度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构上失效点的定位方法及治具的制作方法


[0001]本公开涉及半导体的
，尤其涉及一种半导体结构上失效点的定位方法及治具的制作方法。

技术介绍

[0002]当前进行失效分析时，在电性测试设备上抓取到失效地址之后，需要去层切片最终找到具体的缺陷位置。
[0003]在去层切片检测之前，需要在目标器件上根据前置步骤中在电性测试设备上抓取到的失效地址找到失效点，当位线或字线的地址较长时，找寻失效点所需时间会明显增加，对应的目标器件所受电子束的辐照时长也会增加，容易造成目标器件的电性结果偏差。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种半导体结构上失效点的定位方法及治具的制作方法。
[0006]本公开实施例提供了一种半导体结构上失效点的定位方法，所述半导体结构上失效点的定位方法包括：提供治具，所述治具具有多个由确定的坐标定义的定位点，所述定位点呈阵列状间隔分布；获取目标器件上失效点的失效坐标；将目标器件转移至检测机台，将所述治具靠近所述目标器件，于所述治具上检索与所述失效坐标对应的所述定位点。
[0007]根据本公开的一些实施例，所述获取所述目标器件上失效点的失效坐标包括：通过纳米探针扎样测试，确定所述目标器件上的所述失效点并获取所述失效点的坐标。
[0008]根据本公开的一些实施例，所述将所述治具靠近所述目标器件包括：将所述治具固定于所述目标器件上方，所述治具上的每一定位点仅对应于所述目标器件上的一处失效点，或，所述治具上的相邻多个定位点之间区域仅对应于所述目标器件上的一处失效点。
[0009]根据本公开的一些实施例，所述于所述治具上检索与所述失效坐标对应的所述定位点包括：于所述治具上确定与所述失效坐标一致的定位点或与所述失效坐标对应的位于所述失效坐标外围的多个定位点。
[0010]根据本公开的一些实施例，所述于所述治具上检索与所述失效坐标对应的所述定位点后，依据检索到的与所述失效坐标对应的所述定位点，于所述目标器件上标记对应位置。
[0011]根据本公开的一些实施例，所述依据检索到的与所述失效坐标对应的所述定位点，于所述目标器件上标记对应位置包括：于所述目标器件上设置多个位置识别点，每一所述位置识别点均对应与所述失效坐标对应的所述定位点。
[0012]根据本公开的一些实施例，所述于所述目标器件上标记对应位置包括：去除所述治具上与所述目标器件上对应位置对应的部分实体；于所述目标器件上固定所述治具上去
除的部分实体，用作所述对应位置的标记。
[0013]本公开实施例的第二方面，提供一种半导体结构的检测方法，所述半导体结构的检测方法包括：通过所述目标器件上与定位点对应的标记确定所述失效点所在区域；对所述失效点的所在区域进行检测。
[0014]根据本公开的一些实施例，所述通过所述目标器件上与定位点对应的标记确定所述失效点位置包括：定位所述目标器件上被标记的位置边界，所述失效点位于所述被标记的位置边界内的中央位置。
[0015]根据本公开的一些实施例，所述对所述失效点进行检测包括：对所述失效点进行扫描电镜观察和/或纳米探针电性测试和/或透射电子显微镜切片拍照。
[0016]根据本公开的一些实施例，所述对所述失效点进行射电子显微镜切片拍照包括：于所述治具表面镀铂，连带所述治具一同切片。
[0017]本公开实施例的第三方面，提供一种治具，所述治具包括纵横交错并等间距间隔分布的多根定位轴，纵横交错的定位轴的交界处形成定位点。
[0018]本公开实施例的第四方面，提供一种治具的制作方法，所述治具的制作方法包括：提供基体；根据目标器件的字线宽度和/或位线宽度和/或外围触点间隔确定定位点和定位点坐标；去除部分所述基体，剩余所述基体呈网格状，所述定位点位于剩余所述基体的纵横交错处。
[0019]根据本公开的一些实施例，所述去除部分所述基体，剩余所述基体呈网格状包括：通过离子蚀刻去除部分所述基体，使剩余所述基体呈网格状，剩余所述基体的网格间隔与所述目标器件的外围触点间隔一致。
[0020]根据本公开的一些实施例，网格状的所述基体上的网格与所述目标器件上的失效点的位置对应。
[0021]根据本公开的一些实施例，所述去除部分所述基体，剩余所述基体呈网格状后，于所述基体上覆盖标记层，所述标记层的材料具有热熔性。
[0022]本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过与目标器件位置对应的治具直接定位失效坐标的具体位置，而不再需要通过数常闭触点的个数来确定失效坐标在目标器件上的具体位置，减少了去层切片检测之前在目标器件上根据前置步骤中在电性测试设备上抓取到的失效地址找到失效点的耗时，减小了目标器件所受电子束的辐照时长导致电性结果偏差的可能，同时为后续的定位切样步骤提供定位，降低了后续检测步骤的难度。
[0023]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0024]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0025]图1是根据一示例性实施例示出的半导体结构上失效点的定位方法的流程图。
[0026]图2是根据一示例性实施例示出的常闭触点布局示意图。
[0027]图3是根据一示例性实施例示出的治具的结构示意图。
[0028]图4是根据一示例性实施例示出的定位点覆盖失效点的示意图。
[0029]图5是根据一示例性实施例示出的失效点顶面自治具空洞露出的示意图。
[0030]图6是根据一示例性实施例示出的半导体结构上失效点的定位方法的流程图。
[0031]图7是根据一示例性实施例示出的半导体结构的检测方法的流程图。
[0032]图8是根据一示例性实施例示出的治具的制作方法的流程图。
[0033]图9是根据一示例性实施例示出的切割痕布局的示意图。
[0034]附图标记
[0035]1、衬底；11、常闭触点；12、失效点；2、治具；21、定位轴；22、纵向网格轴；23、横向网格轴；24、定位点；3、钨材料块；4、全钨取样针；5、标记线；6、基体；61、切割痕；62、标记层。
具体实施方式
[0036]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0037本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构上失效点的定位方法，其特征在于，所述半导体结构上失效点的定位方法包括：提供治具，所述治具具有多个由确定的坐标定义的定位点，所述定位点呈阵列状间隔分布；获取目标器件上失效点的失效坐标；将目标器件转移至检测机台，将所述治具靠近所述目标器件，于所述治具上检索与所述失效坐标对应的所述定位点。2.根据权利要求1所述的半导体结构上失效点的定位方法，其特征在于，所述获取所述目标器件上失效点的失效坐标包括：通过纳米探针扎样测试，确定所述目标器件上的所述失效点并获取所述失效点的坐标。3.根据权利要求1所述的半导体结构上失效点的定位方法，其特征在于，所述将所述治具靠近所述目标器件包括：将所述治具固定于所述目标器件上方，所述治具上的每一定位点仅对应于所述目标器件上的一处失效点，或，所述治具上的相邻多个定位点之间区域仅对应于所述目标器件上的一处失效点。4.根据权利要求1所述的半导体结构上失效点的定位方法，其特征在于，所述于所述治具上检索与所述失效坐标对应的所述定位点包括：于所述治具上确定与所述失效坐标一致的定位点或与所述失效坐标对应的位于所述失效坐标外围的多个定位点。5.根据权利要求1所述的半导体结构上失效点的定位方法，其特征在于，所述于所述治具上检索与所述失效坐标对应的所述定位点后，依据检索到的与所述失效坐标对应的所述定位点，于所述目标器件上标记对应位置。6.根据权利要求5所述的半导体结构上失效点的定位方法，其特征在于，所述依据检索到的与所述失效坐标对应的所述定位点，于所述目标器件上标记对应位置包括：于所述目标器件上设置多个位置识别点，每一所述位置识别点均对应与所述失效坐标对应的所述定位点。7.根据权利要求5所述的半导体结构上失效点的定位方法，其特征在于，所述于所述目标器件上标记对应位置包括：去除所述治具上与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家宝，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：