一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法技术

本申请公开了一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法，包括：移动步骤S1和切割步骤S2；移动步骤S1包括：将工件放置在样品台上，样品台与水平导轨滑动连接，用于可控制地带动工件沿水平导轨横向或纵向移动；切割步骤S2包括：光路设备产生的光束经过聚焦模组，得到聚焦的激光束直射在下方样品台固定的工件上；通过移动步骤S1，工件沿水平导轨方向移动，相对激光束发生多方向的运动，激光束在工件上切割出所需的凹槽，在移动步骤S1和切割步骤S2均设置检测装置分别检测工件位置和工件表面情况；本发明专利技术提出的基于晶片划圆机的晶圆切片方法，使用皮秒激光发生器减少熔渣堆积，且分别检测移动步骤S1中工件位置和切割步骤S2中工件表面情况，更好地保护晶圆。好地保护晶圆。好地保护晶圆。

【技术实现步骤摘要】
一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法


[0001]本专利技术涉及激光切割领域，具体涉及一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法。

技术介绍

[0002]晶圆切割的传统工艺流程中使用的切割工具为刀片，但采用机械刀片直接作用在晶圆表面，会对晶体内部造成应力损伤，容易产生晶圆崩边和晶体损伤；近些年，由于激光环切工艺的产出上面的优势，激光环切工艺已在生产中得到了广泛应用；但目前的在激光切割的过程中，熔融的高温硅屑会从切割缝中溅射出来，附着在切缝两边的晶圆表面上，熔渣作为颗粒物也会堆积在槽口周围，冷却后即和晶圆融为一体，造成影响。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术的目的在于提供一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法。
[0004]具体技术方案如下：
[0005]设计一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法，包括：移动步骤S1和切割步骤S2；
[0006]所述移动步骤S1包括：将工件放置在样品台上，所述样品台与水平导轨滑动连接，用于可控制地带动所述工件沿所述水平导轨横向或纵向移动；
[0007]所述切割步骤S2包括：光路设备产生的光束经过聚焦模组，得到聚焦的激光束直射在下方样品台固定的工件上；通过所述移动步骤S1，所述工件沿所述水平导轨方向移动，相对所述激光束发生多方向的运动，所述激光束在所述工件上切割出所需的凹槽，在移动步骤S1和切割步骤S2均设置检测装置分别检测所述工件位置和所述工件表面情况。
[0008]优选的，所述聚焦模组与第三导轨滑动连接，所述第三导轨为竖直轴向。
[0009]优选的，所述聚焦模组位于所述样品台的正上方，所述聚焦模组沿所述第三导轨移动，用于可控制地调整所述聚焦模组相对所述样品台的距离。
[0010]优选的，所述聚焦模组的外侧侧壁上安装有第二检测装置，所述第二检测装置位于所述样品台的正上方，用于检测在所述切割步骤S2中所述工件的表面情况。
[0011]优选的，所述第三导轨固定安装在框架上，所述框架位于所述样品台的正上方，所述框架上安装有第一检测装置，用于检测在所述移动步骤S1中，所述工件的移动情况。
[0012]优选的，所述水平导轨包括第一导轨和第二导轨，所述样品台与所述第二导轨滑动连接，用于带动所述工件沿所述第二导轨方向移动。
[0013]优选的，所述第一导轨固定安装在基座的上端面上，所述基座上固定安装有所述框架。
[0014]优选的，所述第一导轨和所述第二导轨轴向保持垂直，所述第二导轨放置在所述第一导轨上方，与所述第一导轨滑动连接，用于带动所述样品台沿所述第一导轨的方向移动，进一步地使得所述工件沿所述第一导轨方向移动。
[0015]优选的，所述移动步骤S1中，分别启动所述样品台和所述第一导轨驱动装置，所述
工件相对所述激光束分别进行不同向的运动，同时启动所述样品台和所述第一导轨驱动装置，所述工件相对所述激光束的运动轨迹为弧形。
[0016]优选的，所述切割步骤S2中，所述第二检测装置实时检测下方工件的表面切割情况，并反馈信号给所述光路设备和所述聚焦模组的驱动装置，所述聚焦模组的驱动装置接收信号调整所述聚焦模组在所述第三导轨上的位置。
[0017]上述技术方案具有如下优点或有益效果：
[0018]本专利技术提出一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法，通过移动步骤S1和切割步骤S2，调整工件在双向导轨上的位置，完成切割；使用皮秒激光发生器减少熔渣堆积在槽口周围，且通过多向检测装置，分别检测移动步骤S1中工件位置和切割步骤S2中工件表面情况，反馈信号给光路设备，控制激光发生器启动停止，来保护晶圆切片。
附图说明
[0019]图1为本专利技术提出的晶片划圆机的结构图。
[0020]图例说明：
[0021]基座1、框架2、第一导轨3、第二导轨4、第三导轨5、激光聚焦模组6、样品台7、光路设备8。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0024]参照图1，一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法，包括：。
[0025]移动步骤S1和切割步骤S2；
[0026]移动步骤S1包括：将工件放置在样品台7上，样品台7与水平导轨滑动连接，用于可控制地带动工件沿水平导轨横向或纵向移动；
[0027]切割步骤S2包括：光路设备8产生的光束经过聚焦模组6，得到聚焦的激光束直射在下方样品台7固定的工件上；通过移动步骤S1，工件沿水平导轨方向移动，相对激光束发生多方向的运动，激光束在工件上切割出所需的凹槽，在移动步骤S1和切割步骤S2均设置检测装置分别检测所述工件位置和所述工件表面情况。
[0028]光路设备8包括皮秒激光发生器和光路系统，皮秒激光切割机精度高，脉冲时间短，单个脉冲作用时间只有几个皮秒，因此其热效应很小，甚至可以忽略不计；与纳秒激光切割机相比，整个加工过程不需要重铸材料和清工工艺，激光能量的吸收更少地依赖于材料或波长；光路设备8发出的光线轴线沿Z轴方向进入聚焦模组9。
[0029]聚焦模组6与第三导轨5滑动连接，第三导轨5为竖直轴向。
[0030]聚焦模组6与第三导轨5滑动连接，第三导轨5为竖直轴向，第三导轨5可设置为轴线沿Z轴方向的导轨。
[0031]聚焦模组6位于样品台7的正上方，聚焦模组6沿第三导轨5移动，用于可控制地调整聚焦模组6相对样品台7的距离。
[0032]聚焦模组6的外侧侧壁上安装有第二检测装置，第二检测装置位于样品台7的正上方，用于检测在切割步骤S2中工件的表面情况。
[0033]第二检测装置可使用CCD成像系统，CCD成像系统具有良好的定位功能：可以自动定位被检查产品外观上的位置特征，在检测过程中如果这些外观特征与数据库提供的图像坐标不一致，就可以判断出产品为缺陷或瑕疵产品。
[0034]第三导轨5固定安装在框架2上，框架2位于样品台7的正上方，框架2上安装有第一检测装置，用于检测在移动步骤S1中，工件的移动情况。
[0035]水平导轨包括第一导轨3和第二导轨4，样品台7与第二导轨4滑动连接，用于带动工件沿第二导轨4方向移动，第一导轨3可设置为轴线沿X轴方向的导轨，第二导轨4可设置为轴线沿Y轴方向的导轨。
[0036]第一导轨3固定安装在基座1的上端面上，基座1上固定安装有框架2
[0037]第一导轨3和第二导轨4轴向保持垂直，第二导轨4放置在第一导轨3上方，与第一导轨3滑动连接，用于带动样品台7沿第一导轨3的方向移动，进一步地使得工件沿第一导轨3方向移动。
[0038]移动步骤S1中，分别启动样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于晶片划圆机的晶圆切片方法，其特征在于，包括：移动步骤S1和切割步骤S2；所述移动步骤S1包括：将工件放置在样品台(7)上，所述样品台(7)与水平导轨滑动连接，用于可控制地带动所述工件沿所述水平导轨横向或纵向移动；所述切割步骤S2包括：光路设备(8)产生的光束经过聚焦模组(6)，得到聚焦的激光束直射在下方样品台(7)固定的工件上；通过所述移动步骤S1，所述工件沿所述水平导轨方向移动，相对所述激光束发生多方向的运动，所述激光束在所述工件上切割出所需的凹槽，在移动步骤S1和切割步骤S2均设置检测装置分别检测所述工件位置和所述工件表面情况。2.根据权利要求1所述的基于晶片划圆机的晶圆切片方法，其特征在于：所述聚焦模组(6)与第三导轨(5)滑动连接，所述第三导轨(5)为竖直轴向。3.根据权利要求2所述的基于晶片划圆机的晶圆切片方法，其特征在于：所述聚焦模组(6)位于所述样品台(7)的正上方，所述聚焦模组(6)沿所述第三导轨(5)移动，用于可控制地调整所述聚焦模组(6)相对所述样品台(7)的距离。4.根据权利要求3所述的基于晶片划圆机的晶圆切片方法，其特征在于：所述聚焦模组(6)的外侧侧壁上安装有第二检测装置，所述第二检测装置位于所述样品台(7)的正上方，用于检测在所述切割步骤S2中所述工件的表面情况。5.根据权利要求2所述的基于晶片划圆机的晶圆切片方法，其特征在于：所述第三导轨(5)固定安装在框架(2)上，所述框架(2)位于所述样品台(7)的正上方，所述框架(2)上安装有第一检...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐红星，张福平，姜巍，王文强，杨振伟，
申请(专利权)人：江苏先进光源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：