【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电介质陶瓷以及采用该电介质陶瓷构成的层叠陶瓷电容器,尤其涉及谋求提高电介质陶瓷的耐电压的改善。
技术介绍
作为满足层叠陶瓷电容器的小型化且大容量化要求的有效手段之一,谋求薄层化 在层叠陶瓷电容器中所具备的电介质陶瓷层。但是,若进一步薄层化电介质陶瓷层,则在使 用时施加了大的直流电压等时在层叠陶瓷电容器中容易产生介质击穿。根据这种状况,介 质击穿时的电压(BDV = breakdown voltage)高是重要的,因此要求BDV高的电介质陶瓷。 如以上所述,在施加比较大的电压的用途中使用了核壳(core-shell)系的材料。 另一方面,在不仅是BDV,而且还要求介电常数、静电电容温度特性、高温负荷试验中的寿命 特性等情况下,使用了包括具有核壳结构的晶粒和具有均匀系结构的晶粒两者的电介质陶 瓷。 例如,在日本专利第3376963号公报(专利文献l)以及日本专利第3793697号公 报(专利文献2)中,公开了包括具有核壳系结构的晶粒和具有均匀系结构的晶粒两者的电 介质陶瓷、以及采用该电介质陶瓷的层叠陶瓷电容器。 在专利文献1中公开的层叠陶瓷电容器中 ...
【技术保护点】
一种电介质陶瓷,包括:具有核壳结构的核壳晶粒;和具有均匀系结构的均匀系晶粒,所述核壳晶粒与所述均匀系晶粒以91∶9~99∶1范围的面积比率存在。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:中村将典,山口晋一,竹田敏和,
申请(专利权)人:株式会社村田制作所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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