一种集成电路版图检测方法、装置及存储介质制造方法及图纸

本申请提供了一种集成电路版图检测方法、装置及存储介质；方法包括：在版图中，确定多叉指结构，其中，多叉指结构包括：至少一个上连源漏端和至少一个上连通孔，上连源漏端通过上连通孔与上层金属线电连接；计算上连源漏端的数目和上连通孔的数目；针对多叉指结构，若其上连源漏端的数目大于其上连通孔的数目，则判定该多叉指结构为不合格多叉指结构。本申请能够及时发现设计缺陷，从而提高芯片的良率。从而提高芯片的良率。从而提高芯片的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路版图检测方法、装置及存储介质


[0001]本申请涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种集成电路版图检测方法、装置及存储介质。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路中的电子元件数量不断增多，内部结构越来越复杂，这给集成电路的版图的设计工作带来了更大的挑战。
[0003]在集成电路版图中，常包含多叉指结构。多叉指结构需要连接足够的通孔，否则寄生电阻过大，会降低芯片的良率。

技术实现思路

[0004]本申请实施例期望提出一种集成电路版图检测方法、装置及存储介质，能够检测出版图中上连通孔不足的不合格多叉指结构，及时发现设计缺陷，从而提高芯片的良率。
[0005]本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供一种集成电路版图检测方法，所述方法包括：
[0007]在版图中，确定多叉指结构；所述多叉指结构包括：至少一个上连源漏端和至少一个上连通孔；所述上连源漏端通过所述上连通孔与上层金属线电连接；
[0008]计算所述上连源漏端的数目和所述上连通孔的数目；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路版图检测方法，其特征在于，所述方法包括：在版图中，确定多叉指结构；所述多叉指结构包括：至少一个上连源漏端和至少一个上连通孔；所述上连源漏端通过所述上连通孔与上层金属线电连接；计算所述上连源漏端的数目和所述上连通孔的数目；针对所述多叉指结构，若其上连源漏端的数目大于其上连通孔的数目，则判定该多叉指结构为不合格多叉指结构。2.根据权利要求1所述的集成电路版图检测方法，其特征在于，所述在版图中，确定多叉指结构，包括：在所述版图中，识别MOS结构；在所述MOS结构中，确定所述多叉指结构。3.根据权利要求2所述的集成电路版图检测方法，其特征在于，所述在所述版图中，识别MOS结构，包括：基于预设识别层信息，在所述版图中确定目标层图案；通过布尔运算，在所述目标层图案中识别所述MOS结构。4.根据权利要求3所述的集成电路版图检测方法，其特征在于，所述通过布尔运算，在所述目标层图案中识别所述MOS结构，包括：在所述目标层图案中识别有源区；在所述有源区中确定目标有源区；所述目标有源区与至少一个栅极结构相交；去除所述目标有源区中的保护环和二极管结构，从而得到所述MOS结构。5.根据权利要求4所述的集成电路版图检测方法，其特征在于，所述MO S结构包括：PMOS结构和NMOS结构；若所述版图表征P型衬底，则所述PMOS结构外包围了P型注入区和N阱区，所述NMOS结构外包围了N型注入区。6.根据权利要求2所述的集成电路版图检测方法，其特征在于，所述在所述MOS结构中，确定所述多叉指结构，包括：计算所述MOS结构中并排栅极结构的数目；所述并排栅极结构在所述版图中并行排列；针对所述MOS结构，若其并排栅极结构的数目大于等于2，则判定该MO S结构为多叉指结构。7.根据权利要求1所述的集成电路版图检测方法，其特征在于，所述计算所述上连源漏端的数目和所述上连通孔的数目，包括：基于连接特点，确定所述多叉指结构中的上连多叉指金属线；所述连接特点包括：所述上连多叉指金属线电连接所述上连源漏端，以及，所述上连通孔位于所述上连多叉指金属线之上；基于所述上连多叉指金属线，通过布尔运算，计算所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈苗苗，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：