半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:3750552 阅读:142 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种光电动势装置,包括:用于电分离第一背面电极和第二背面电极的第二开沟部、在第一开沟部和第二开沟部之间的区域中,以从第二背面电极的上表面至少切断中间层的方式形成的第三开沟部、以至少覆盖中间层的切断部的方式埋入在第三开沟部内的第一绝缘部件、和在第二开沟部和第三开沟部之间的区域中,与第一基板侧电极电连接,并且跨越第三开沟部而与第二背面电极电连接的导电性部件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电动势装置及其制造方法,特别涉及设置有在多个光电变换部之间 具有导电性的中间层的光电动势装置及其制造方法。
技术介绍
在现阶段,设置有在多个光电变换部之间具有导电性的中间层的光电动势装置是 众所周知的。这种光电动势装置,例如,已经在日本特开2002-118273号专利公报中有所揭 示。 在上述日本特开2002-118273号专利公报中揭示的光电动势装置中,在基板上隔 开规定间隔而形成第一透明电极和第二透明电极,并且在第一透明电极和第二透明电极 上,形成第一光电变换单元。而且,在第一光电变换单元上,隔着具有导电性的中间层形成 第二光电变换单元。而且,在第二光电变换单元上,以分别与所述第一透明电极和第二透明 电极对应的方式而配置有第一背面电极和第二背面电极。此外,经由以贯通第二光电变换 单元、中间层和第一光电变换单元的方式形成的开沟部,而使第一背面电极与第二透明电 极电连接。 但是,在上述日本特开2002-118273号专利公报中揭示的光电动势装置中,因为 第一背面电极与在开沟部内具有导电性的中间层接触,所以存在着在第一背面电极和中间 层之间发生电短路那样的问题。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电动势装置,其特征在于,包括:具有绝缘性表面的基板;在所述基板的绝缘性表面上形成的,由第一开沟部所分离的第一基板侧电极和第二基板侧电极;以覆盖所述第一基板侧电极和所述第二基板侧电极的方式而形成的第一光电变换部;隔着具有导电性的中间层在所述第一光电变换部的表面上形成的第二光电变换部;在所述第二光电变换部的表面上形成的,分别与所述第一基板侧电极和所述第二基板侧电极对应的由银构成的第一背面电极和第二背面电极;用于电分离所述第一背面电极和所述第二背面电极的第二开沟部;在所述第一开沟部和所述第二开沟部之间的区域中,以至少切断所述第二光电变换部和所述中间层的方式形成的第三开沟部;以至少覆盖所述中间层...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:筱原亘
申请(专利权)人:三洋电机株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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