电阻式随机存取存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种电阻式随机存取存储器及其制备方法，存储器包括：依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；第一阻挡层，设置于第二电极上；中间连接层，设置于第一阻挡层上；第二阻挡层，设置于连接层上；第一阻挡层用于阻挡连接层和第二阻挡层中的金属向第二电极扩散，第二阻挡层用作刻蚀阻挡层，中间连接层用于降低第一阻挡层和第二阻挡层之间的接触电阻。本发明专利技术不但能够提升电阻式随机存取存储器的热稳定性，而且避免了阻挡层金属在顶电极材料中的扩散，另外还能较大程度降低接触电阻。另外还能较大程度降低接触电阻。另外还能较大程度降低接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
电阻式随机存取存储器及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种电阻式随机存取存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]电阻式随机存取存储器(resistive random
‑
access memory, RRAM)属于一种非挥发性存储器(non
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volatile memory, NVM)，具有更小的尺寸、读写快速、数据保存时间长、低耗能、可靠度佳以及与半导体制作工艺相容等特性，因此逐渐受到本领域的关注。电阻式随机存取存储器的基本结构为上、下电极之间夹着一层可变电阻层，通过外加电压使得可变电阻材料在高电阻状态(high resistance state, HRS)和低电阻状态(low resistancestate, LRS)之间转换，然后将不同的电阻状态编译成1或0来达到存储和辨别数据的目的。
[0003]现有的RRAM通常需要在电极上制作阻挡层，然而，现有的RRAM阻挡层容易发生扩散，导致操作电压不稳定，同时热传导能力弱，不利于RRAM的热稳定性，高温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述电阻式随机存取存储器包括：依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；第一阻挡层，设置于所述第二电极上；中间连接层，设置于所述第一阻挡层上；第二阻挡层，设置于所述连接层上；所述第一阻挡层用于阻挡所述连接层和第二阻挡层中的金属向所述第二电极扩散，所述第二阻挡层用作刻蚀阻挡层，所述中间连接层用于降低所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间的接触电阻。2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于：所述第一阻挡层的电阻率小于所述第二阻挡层的电阻率。3.根据权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于：所述第一阻挡层的电阻率为所述第二阻挡层的电阻率的五分之一以下。4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于：所述第一阻挡层的热导率大于所述第二阻挡层的热导率。5.根据权利要求4所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于：所述第一阻挡层的热导率为所述第二阻挡层的热导率的五倍以上。6.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于：所述第一阻挡层的材质包括钨和铂中的一种或两种。7.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张冠群，仇圣棻，
申请(专利权)人：昕原半导体杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：