氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统技术方案

本发明专利技术涉及氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统，其中氧化钨基忆阻器的制备方法，包括以下步骤：氧化铟锡玻璃经清洗设定时间，得到底部电极；钨靶通过直流磁控溅射在底部电极上生长得到氧化钨膜，形成第一阻变层；氧化铟镓锌靶通过射频磁控溅射在第一阻变层上生长得到氧化铟镓锌薄膜，形成第二阻变层；银靶通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。使忆阻器的性能稳定，制备工艺简单，重复性高，薄膜均一性良好，通过改变制备参数和测试参数，便于实现多级阻态调控以及忆阻行为的调制，基于此忆阻器搭建的目标跟踪系统能够实现类脑突触仿生功能，可广泛应用于模拟人脑实现更高级别的认知功能。于模拟人脑实现更高级别的认知功能。于模拟人脑实现更高级别的认知功能。

【技术实现步骤摘要】
氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统


[0001]本专利技术涉及忆阻器
，具体为氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统。

技术介绍

[0002]本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
[0003]忆阻器是表示磁通与电荷关系的电路器件，能够用于实现类脑突触的仿生功能，从而打破处理单元和存储单元之间的界限，从而实现生物特征信号识别、图像处理以及仿生视觉捕捉的目标跟踪功能。
[0004]目前，忆阻器存在以下问题：
[0005](1)大部分忆阻器在制备时所需的材料价格昂贵、技术成本高、制备的工艺复杂。
[0006](2)多数忆阻器性能不稳定，薄膜制备不均匀，可重复性不高，无法满足构建人工神经网络所需要的稳定的突触性能以及多重的可调节的阻态。
[0007](3)多数忆阻器的神经突触特性中的长时程增强(LTP)和长时程抑制(LTD)特性难以具有很高的线性度。
[0008](4)多数忆阻器对于实现类脑突触仿生功能仅仅局限于脑电信号、心电信号、声音信号以及脉搏信号等生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：氧化铟锡玻璃经清洗设定时间，得到底部电极；钨靶通过直流磁控溅射在底部电极上生长得到氧化钨膜，形成第一阻变层；氧化铟镓锌靶通过射频磁控溅射在第一阻变层上生长得到氧化铟镓锌薄膜，形成第二阻变层；银靶通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。2.如权利要求1所述的氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，还包括测试，具体为：将制备的氧化钨基忆阻器基于设定参数的正向电压脉冲与负向电压脉冲条件下进行测试。3.如权利要求1所述的氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，还包括性能调节，具体为：通过改变阻变层制备过程的制备参数以及测试过程的测试电压脉冲参数，调节氧化钨基忆阻器的神经突触特性中的长时程增强特性和长时程抑制特性的线性度。4.如权利要求1所述的氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，氧化铟锡玻璃经清洗得到底部电极，具体为：氧化铟锡玻璃依次通过乙醇和去离子水经超声清洗设定时间后，得到底部电极。5.如权利要求1所述的氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，制备阻变层时的参数，包括：得到氧化钨薄膜时的Ar2与O2气体流量，分别为20
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30sccm与10
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20sccm；得到氧化钨薄膜的直流功率，设置为80
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100W；得到氧化钨薄膜的沉积时间，设置为10
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20min；得到氧化铟镓锌薄膜的Ar2与O2气体流量，分别为20
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30sccm与2
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5sccm；得到氧化铟镓锌薄膜的射频功率，设置为100
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120W；得到氧化铟镓锌薄膜的沉积时间，设置为10
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20min。6.如权利要求2所述的氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，吴彤，钱凯，姚钊，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：