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本发明涉及氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统，其中氧化钨基忆阻器的制备方法，包括以下步骤：氧化铟锡玻璃经清洗设定时间，得到底部电极；钨靶通过直流磁控溅射在底部电极上生长得到氧化钨膜，形成第一阻变层；氧化铟镓锌靶通过射频磁控溅射在第一阻变...
该专利属于济南大学所有，仅供学习研究参考，未经过济南大学授权不得商用。

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