本申请提供一种尾气处理方法、装置、电子设备及介质，所述尾气处理方法包括：获取尾气流量监测结果；根据所述尾气流量监测结果生成等离子体尾气处理设备的控制信号和/或尾气水洗处理设备的控制信号；利用所述等离子体尾气处理设备的控制信号控制所述等离...

本发明提供一种阻变存储器的制造方法及阻变存储器，包括如下步骤：在第一隔离层中开设下电极通孔；在下电极通孔内填充与所述金属连线层相同的金属材料；在第一隔离层的顶部以及填充了金属材料的下电极通孔的顶部依次沉积第二隔离层、下电极金属层、阻变层...

本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制备方法，存储器包括：依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；第一阻挡层，设置于第二电极上；中间连接层，设置于第一阻挡层上；第二阻挡层，设置于连接层上；第一阻挡层用于阻挡连接层和第二阻挡层中的金属...

本发明提供一种RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置，包括下电极通孔、下极板层和钝化层；下电极通孔设置在绝缘层内，下电极通孔的底部设置在金属连线层上；在下电极通孔内设置有导电材料层；导电材料层的顶部呈圆弧形状；下极板层设置在...

本发明提供一种阻变随机存储器及制备方法，其中的阻变随机存储器包括：在底层上进行金属沉积，形成下电极金属结构，并对下电极金属结构进行刻蚀，形成规则分布的线状下电极；在下电极上形成ReRAM切换层；在ReRAM切换层上填充介电材料层并处理至...

本发明提供一种阻变随机存储器及其制备方法，其中的阻变随机存储器包括：在底层上进行金属沉积，形成下电极金属结构，并对下电极金属结构进行刻蚀，形成规则分布的线状下电极；在下电极上形成ReRAM切换层；在ReRAM切换层上设置金属接触，以形成...

本发明提供一种阻变式存储器的下电极及其制造方法，包括如下步骤：对带有下电极通孔的介电层进行平坦化处理，使填充在下电极通孔内部的导电材料层全部或部分裸露出所述下电极通孔的上端；对裸露在下电极通孔上端的导电材料层进行还原化处理，在还原化处理...

本发明提供一种阻变随机存储器及其制备方法，其中的阻变随机存储器包括：在底层上进行金属沉积，形成下电极金属结构，并对下电极金属结构进行刻蚀，形成规则分布的线状下电极；在下电极上形成ReRAM切换层；在ReRAM切换层上填充介电材料层，介电...

本发明提供一种阻变式存储器的下电极及其制备方法，其中的制备方法包括：对底部介电层的表面进行平坦化处理，使填充在介电层内的导电材料层全部或部分裸露；对导电材料层进行回刻蚀，以及干法和/或湿法清洗，以使导电材料层的表面高度低于介电层的表面；...

本发明提供一种阻变存储器及其制造方法和电子装置，包括金属连线层、介质层、阻变层和上电极；介质层设置在金属连线层的顶端；在介质层中开设有下电极通孔，下电极通孔的底部与金属连线层连接；在下电极通孔内设置有下电极；阻变层的形状为台阶形状，台阶...

本发明提供了一种1TnR阻变随机存储器的结构及其制备方法，其中的结构包括底层晶体管单元、设置在所述底层晶体管单元上的阻变存储集成单元以及设置在所述阻变存储集成单元上的选择器件集成单元；其中，所述阻变存储集成单元包括设置在所述底层晶体管单...

本发明提供了一种RRAM下电极结构及其形成方法，其中的方法包括：以平坦化的第一金属/介电层作为衬底，使所述第一金属/介电层的表面全部或部分裸露出第一金属；在预设浸润温度下以硅烷浸润所述第一金属/介电层，以在所述第一金属表面形成第一金属硅...

本发明提供了一种RRAM下电极结构及其形成方法，其中的方法包括：以平坦化的第一金属/介电层作为衬底，使所述第一金属/介电层的表面全部或部分裸露出第一金属；在预设温度氛围下以富含硅元素的等离子体轰击所述第一金属表面，以在所述第一金属表面形...

本发明提供了一种RRAM结构及其制备方法，其中的RRAM结构包括下层金属层以及设置在所述下层金属层上的互联铜线；在所述下层金属层上设置有覆盖所述互联铜线的低电阻率阻挡层，在所述低电阻率阻挡层上设置有RRAM单体，在所述RRAM单体的侧壁...