【技术实现步骤摘要】
一种芯片小批量极限条件构造和验证架构
[0001]本专利技术涉及芯片验证
,具体而言,涉及一种芯片小批量极限条件构造和验证架构。
技术介绍
[0002]研发阶段的芯片功能性、性能测试会在用例中安排白盒测试,如对芯片高速Serdes测试会针对各种电气参数进行物理层一致性测试,如图1所示(以PCIe信号的物理层一致性测试为例),通常测试芯片的样本量在3pcs,环境温度为常温,电压为芯片标称电压,芯片工艺角为TT片(NMOS/PMOS均值芯片,Typical nmos Typical pmos)。
[0003]在小批量阶段由于测试前置条件比上述研发阶段的功能测试多得多,一般会要求覆盖8角,即覆盖温度、电压、工艺(FF、SS等Coner芯片)这三个变量的23=8个组合。
[0004]针对小批量阶段的芯片验证活动,通常会将被测芯片制作成标准AIC卡接入主板或者将被测芯片放到主板然后接入AIC卡来进行黑盒测试。无论哪种方式都意味需要对应的陪测主板或者AIC卡。以服务器为例,如果被测芯片在AIC卡上,那么服务器就是作 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片小批量极限条件构造和验证架构,其特征在于,包括ISI背板;所述ISI背板上具有n条链路,每条链路用于连接两个由被测芯片制成的子卡;每条链路的走线长度m不同,并且m1<m<m2,其中,m1表示极限短链路的长度,m2表示极限长链路的长度。2.根据权利要求1所述的芯片小批量极限条件构造和验证架构,其特征在于,所述极限长链路的长度设计规格需要考虑架构中的插损。3.根据权利要求2所述的芯片小批量极限条件构造和验证架构,其特征在于,所述架构中的插损包括:被测芯片封装内走线插损;子卡到子卡连接器插损;ISI背板上连接器插损;以及ISI背板中走线的插损。4.根据权利要求2所述的芯片小批量极限条件构造和验证架构,其特征在于,所述ISI背板中的极限长链路的插损需要进行标定。5.根据权利要求4所述的芯片小批量极限条件构造和验证架构,其特征在于,所述ISI背板中的极限长链路的插损进行标定的过程为:(1)制作两个子卡去...
【专利技术属性】
技术研发人员:程维,
申请(专利权)人:成都电科星拓科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。