一种ｐ型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ｐ型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法，采用电子束蒸发技术和快速热退火技术来制备ｐ型导电的氧化亚锡沟道层。该制备方法简单可控，可实现低温制备；制得的晶体管具有较高的场效应迁移率，可用于有机发光二极管以及发展氧化物基低损耗补偿逻辑电路等，在显示器技术领域中应用前景十分广阔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管的制备方法，尤其涉及一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT) —般由衬底、栅介质层、沟道层、栅电极、源电极以及漏电极构 成，包括底栅结构的TFT(如图1所示)和顶栅结构的TFT(如图2所示)，在液晶显示器中 被用作开关元件来驱动像素，其中Si基(非晶Si或多晶Si为沟道)TFT占主导地位，但非 晶Si TFT和多晶Si TFT都具有不可克服的缺点，诸如光致性能退化，较低的场效应迁移 率，开口率有限及功耗较高等。因而，显示技术的发展客观上要求替代Si材料并开发新型 TFT。 宽禁带氧化物在可见光波段透明且具有高的电子迁移率，将它们制作成TFT，将大 大提高有源显示矩阵的开口率，从而提高亮度，降低功耗，使得TFT具有较高的场效应迁移 率。宽禁带氧化物TFT的实现对透明电子学具有里程碑的意义。采用宽禁带氧化物作为沟 道层的薄膜场效应晶体管，已可实现场效应迁移率大于10cm2V—、—、开关比接近108等稳定 的性能。然而，多数氧化物半导体是n型导电的。所以，透明薄膜晶体管(TTFT)的应用就 被限制在n沟道类型。 因此，发展高场效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ｐ型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：（１）选择衬底，并进行栅介质层及栅电极的制备；（２）采用电子束蒸发镀膜设备和氧化锡蒸发料，在衬底温度条件下在栅介质层上沉积氧化亚锡非晶薄膜，然后进行热退火处理，完成沟道层的制备；其中，所述的热退火处理条件为：在Ａｒ气气氛中于３５０℃至４００℃退火１分钟至１５分钟；（３）制备源电极和漏电极，制得底栅结构的ｐ型氧化亚锡沟道薄膜晶体管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹鸿涛，梁凌燕，刘志敏，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]