温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种ｐ型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法，采用电子束蒸发技术和快速热退火技术来制备ｐ型导电的氧化亚锡沟道层。该制备方法简单可控，可实现低温制备；制得的晶体管具有较高的场效应迁移率，可用于有机发光二极管以及发展氧化物基低损耗补偿逻...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。