半导体封装器件及封装方法技术

本发明专利技术实施例公开的半导体封装器件及封装方法，涉及半导体技术领域，便于减少供电链路上的功耗损失。包括：封装基板；所述封装基板上具有互联导线，重布线层基板；所述重布线层基板布设于所述封装基板上；晶粒单元；所述晶粒单元的一部分连接于所述重布线层基板上，所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上；电源模块；所述电源模块位于所述晶粒单元的周边，且所述电源模块通过所述互联导线与所述晶粒单元电连接。本发明专利技术适用于芯片等器件封装场景中。景中。景中。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装器件及封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装器件及封装方法。

技术介绍

[0002]当前，针对扇出(Fan out)封装工艺进行高密度晶粒(Die，也称晶片)间互联的半导体器件，一般为高性能高功耗芯片。一方面此类芯片由于工艺较小耐压低，需要低压供电；一方面此类芯片由于性能需求，需要大电流；为此，低压大电流通过外部电源模块供电，链路上会带来大量的功耗损失。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种半导体封装器件及封装方法，便于减少供电链路上的功耗损失。
[0004]为达到上述专利技术目的，采用如下技术方案：
[0005]根据本专利技术实施例的第一个方面，提供了一种半导体封装器件，包括：封装基板；所述封装基板上具有互联导线；重布线层基板；所述重布线层基板布设于所述封装基板上；晶粒单元；所述晶粒单元的一部分连接于所述重布线层基板上，所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上；电源模块；所述电源模块位于所述晶粒单元的周边，且所述电源模块通过所述互联导线与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装器件，其特征在于，包括：封装基板；所述封装基板上具有互联导线；重布线层基板；所述重布线层基板布设于所述封装基板上；晶粒单元；所述晶粒单元的一部分连接于所述重布线层基板上，所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上；电源模块；所述电源模块位于所述晶粒单元的周边，且所述电源模块通过所述互联导线与所述晶粒单元电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其特征在于，至少有一个所述电源模块上用于安设散热模组。3.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其特征在于，所述电源模块包括：电源电路，所电源电路封装于壳体内。4.根据权利要求3所述的半导体封装器件，其特征在于，所述电源模块设有一个或多个。5.根据权利要求2所述的半导体封装器件，其特征在于，所述电源模块包括：印制线路板、开关驱动电路、电感及电容，所述开关驱动电路、电感及电容分别电连接于所述印制线路板上，且所述开关驱动电路的输出端与所述电感的输入端电连接，所述电感的输出端与所述电容的输入端电连接，所述电容的输出端电连接至所述晶粒单元的供电引脚上。6.根据权利要求4所述的半导体封装器件，其特征在于，所述电源模块还包括：去耦电容，所述去耦电容设于所述电容的输出端到所述晶粒单元的供电引脚之间的节点上。7.根据权利要求3或4所述的半导体封装器件，其特征在于，至少在所述电源模块外部封装的壳体、与散热器对应的表面上镀有金属层。8.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其特征在于，所述晶粒单元，包括：第一晶粒及第二晶粒；所述第一晶粒的第一部分与第二晶粒的第一部分分别电连接于所述重布线层基板上，所述第一晶粒的第二部分与第二晶粒的第二部分分别电连接于所述封装基板上，所述第一晶粒与第二晶粒间隔设置，且所述第一晶粒与第二晶粒之间通过重布线层基板上的互联线连接。9.根据权利要求7所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第一晶粒与第二晶粒并排间隔设置，且所述第一晶粒与第二晶粒分设于所述重布线层基板的第一中心线的两侧，当所述重布线层基板为矩形时，所述第一中心线为所述重布线层基板的长边的中心线。10.根据权利要求1或8所述的半导体封装器件，其特征在于，所述重布线层基板至少有部分结构嵌入设于所述封装基板上，且所述重布线层基板的顶部暴露。11.根据权利要求10所述的半导体封装器件，其特征在于，所述封装基板具有至少一个容置腔体，至少一个所述容置腔体暴露所述封装基板的至少一个表面，所述重布线层基板设于所述容置腔体内，且位于所述表面上。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜树安，钱晓峰，林少芳，孟凡晓，韩亚男，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：