半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：多个第一导线；多个第二导线，其被设置在第一导线之上以与第一导线间隔开；可变电阻层，其被设置在第一导线上方和第二导线下方；第一层间电介质层和第二层间电介质层中的至少一个；第一接触和第二接触中的至少一个；第一选择器层和第二选择器层中的至少一个，其中，第一选择器层被设置在第一层间电介质层的在第一接触下方的部分中以及第二选择器层被设置在第二电介质层的在第二接触下方的部分中，其中，第一选择器层包括第一层间电介质层的电介质材料和掺杂剂，以及第二选择器层包括第二层间电介质层的电介质材料和掺杂剂。掺杂剂。掺杂剂。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利文件要求2021年10月28日提交的韩国专利申请第10
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2021
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0145480号的优先权和利益，其通过引用全部并入本文。


[0003]本专利文件涉及存储电路或器件及其在电子设备或系统中的应用。

技术介绍

[0004]最近的电气和电子行业中的面向小型化、低功耗、高性能和多功能的趋势已经迫使半导体制造商关注高性能、大容量半导体器件。这样的高性能、大容量半导体器件的示例包括可以通过根据所应用的电压或电流在不同的电阻状态之间进行切换而存储数据的存储器件。所述半导体器件可以包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)和电熔丝(E
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fuse)。

技术实现思路

[0005]本专利文件中所公开的技术包括可以提高半导体器件的性能以及减少制造缺陷的存储电路或器件及其在电子设备或系统中的应用以及电子设备的多种实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：多个第一导线；多条第二导线，其被设置在所述第一导线之上以与所述第一导线间隔开，可变电阻层，其被设置在所述第一导线上方和所述第二导线下方；第一层间电介质层和第二层间电介质层中的至少一个，其中，所述第一层间电介质层包括被设置在所述第一导线与所述可变电阻层之间的第一孔，以及所述第二层间电介质层包括被设置在所述可变电阻层与所述第二导线之间的第二孔；第一接触和第二接触中的至少一个，其中，所述第一接触被设置在所述第一孔中，以及所述第二接触被设置在所述第二孔中；以及第一选择器层和第二选择器层中的至少一个，其中，所述第一选择器层被设置在所述第一层间电介质层的在所述第一接触下方的部分中，以及所述第二选择器层被设置在所述第二电介质层的在所述第二接触下方的部分中，其中，所述第一选择器层包括所述第一层间电介质层的电介质材料和掺杂剂，以及所述第二选择器层包括所述第二层间电介质层的电介质材料和掺杂剂。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层、所述第二选择器层、所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层中的每一个均包括氧化物、氮化物、氮氧化物或者所述氧化物、氮化物和氮氧化物中的两种或更多种的组合。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂剂包括硼B、氮N、碳C、磷P、砷As、铝Al、硅Si和锗Ge中的一种或更多种。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触用作将所述第一选择器层电连接至所述可变电阻层的电极。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层包括彼此相同的电介质材料和彼此相同的掺杂剂。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触和所述第二接触中的每一个包括：单层结构或多层结构，所述单层结构或所述多层结构包括金属、金属氮化物或导电碳材料或所述金属、金属氮化物和导电碳材料中的两种或更多种的组合。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述可变电阻层包括：用于电阻式随机存取存储器RRAM、相变随机存取存储器PRAM、铁电随机存取存储器FRAM或磁性随机存取存储器MRAM的具有可变电阻特性的材料。8.一种半导体器件，包括：多个第一导线；多个第二导线，其被设置在所述第一导线之上以与所述第一导线间隔开；可变电阻层，其被设置在所述第一导线上方和所述第二导线下方；第一层间电介质层和第二层间电介质层中的至少一个，其中，所述第一层间电介质层围绕所述第一导线的侧壁，以及所述第二层间电介质层围绕所述可变电阻层的侧壁；以及第一选择器层和第二选择器层中的至少一个，其中，所述第一选择器层被设置在所述第一导线和所述第一层间电介质层上方以及所述可变电阻层和所述第二层间电介质层下方，以及所述第二选择器层被设置在所述可变电阻层和所述第二层间电介质层上方以及所述第二导线下方。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层中的每一个包括电介质材料和掺杂剂。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述电介质材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物或者所述氧化物、氮化物和氮氧化物中的两种或更多种的组合。11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述掺杂剂包括硼B、氮N、碳C、磷P、砷As、铝Al、硅Si和锗Ge中的一种或更多种。12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层包括彼此相同的电介质材料和彼此相同的掺杂剂。13.根据权利要求8所述的半导体器件，其不包括上电极接触和下电极接触。14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述可变电阻层包括：用于电阻式随机存取存储器RRAM、相变随机存取存储器PRAM、铁电随机存取存储器FRAM或磁性随机存取存储器MRAM的具有可变电阻特性的材料。15.一种半导体器件，包括：第一导线；第二导线，其被设置在所述第一导线之上以与所述第一导线间隔开；可变电阻层，其被设置在所述第一导线上方和所述第二导线下方；第一选择器层，其被设置在所述第一导线与所述可变电阻层之间；以及第二选择器层，其被设置在所述可变电阻层与所述第二导线之间，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层中的每一个包括电介质材料和掺杂剂。16.根据权利要求15所述的半导体器件，所述电介质材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物或者所述氧化物、氮化物和氮氧化物中的两种或更多种的组合。17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述掺杂剂包括硼B、氮N、碳C、磷P、砷As、铝Al、硅Si和锗Ge中的一种或更多种。18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一选择器层和所述第二选择器层包括彼此相同的电介质材料和彼此相同的掺杂剂。19.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述半导体器件不包括上电极接触和下电极接触。20.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述可变电阻层包括：用于电阻式随机存取存储器RRAM、相变随机存取存储器PRAM、铁电随机存取存储器FRAM或磁性随机存取存储器MRAM的具有可变电阻特性的材料。21.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成第一导线；在所述第一导线之上形成第二导线以与所述第一导线间隔开；在所述第一导线上方和所述第二导线下方形成可变电阻层；形成包括孔的层间电介质层，所述孔在所述第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐秀万，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：