【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法、存储器系统
[0001]本公开涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器系统。
技术介绍
[0002]动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)的存储阵列架构是由包括一个晶体管和一个电容器的存储单元(即1T1C的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，漏极与位线相连，源极与电容器相连。
[0003]随着动态随机存取存储器的尺寸不断缩小，晶体管的尺寸不断缩小。如何形成存储容量较大、尺寸较小且性能较高的动态随机存取存储器，成为亟待解决的问题。
[0004]公开内容
[0005]本公开实施例提出一种半导体结构及其制作方法、存储器系统。
[0006]根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：沿第一方向堆叠设置的多个存储单元阵列块，每个存储单元阵列块均包括：
[0007]有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，所述第一有源柱和所述第二有源柱均包括沟道区以及分别位于所述沟道区沿所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：沿第一方向堆叠设置的多个存储单元阵列块，每个存储单元阵列块均包括：有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，所述第一有源柱和所述第二有源柱均包括沟道区以及分别位于所述沟道区沿所述第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区，所述沟道区沿所述第一方向延伸；第一存储结构，位于所述有源柱阵列的第一侧，与所述第一有源柱的第一有源区电连接；第二存储结构，位于所述有源柱阵列的第二侧，与所述第二有源柱的第二有源区电连接；所述第一侧以及所述第二侧为所述有源柱阵列沿所述第一方向相对的两侧；所述第一存储结构和所述第二存储结构均包括顶电极、底电极以及位于顶电极和所述底电极之间的电介质层，相邻的存储单元阵列块通过所述顶电极电连接；第一位线，位于所述有源柱阵列的第二侧，与所述第一有源柱的第二有源区连接；第二位线，位于所述有源柱阵列的第一侧，与所述第二有源柱的第一有源区连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储结构的底电极与所述第一有源柱的第一有源区电连接，所述第二存储结构的底电极与所述第二有源柱的第二有源区电连接。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括外围电路，所述外围电路与多个所述存储单元阵列块沿所述第一方向堆叠设置，且所述外围电路与所述存储单元阵列块电连接。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源柱和所述第二有源柱构成沿第二方向排布的若干列有源柱和沿第三方向排布的若干行有源柱，每一行有源柱均包括交替排布的所述第一有源柱和所述第二有源柱，每一列有源柱均包括第一有源柱或第二有源柱，所述第二方向与所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线以及所述第二位线均沿所述第三方向延伸；所述第一位线与沿第三方向排布的同一列的所述第一有源柱的第二有源区均连接；所述第二位线与沿第三方向排布的同一列的所述第二有源柱的第一有源区均连接。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线位于所述有源柱阵列与所述第二存储结构之间，所述第二位线位于所述有源柱阵列与所述第一存储结构之间。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一接触结构，位于所述有源柱阵列与所述第一存储结构之间，用于将所述第一有源柱的第一有源区与所述第一存储结构电连接；第二接触结构，位于所述有源柱阵列与所述第二存储结构之间，用于将所述第二有源柱的第二有源区与所述第二存储结构电连接。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括动态随机存取存储器，所述第一存储结构以及第二存储结构均包括存储电容。9.一种存储器系统，其特征在于，包括：一个或多个如权利要求1
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8中任一项所述的半导体结构；以及存储器控制器，其与所述半导体结构耦接并控制所述半导体结构。...
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